SiCパワー半導体と単結晶ウェハ製造・加工の技術動向【提携セミナー】
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| 開催日時 | 2023/10/3（火）10:30~16:30 |
|---|---|
| 担当講師 | 大谷 昇 氏 |
| 開催場所 | Zoomによるオンライン受講 |
| 定員 | 30名 |
| 受講費 | 55,000円(税込) |
★ ウェハ加工の技術課題は？ 欠陥の低減、高品質なウェハ製造に向けた技術動向を詳解！
SiCパワー半導体と
単結晶ウェハ製造・加工の技術動向
【提携セミナー】
主催：株式会社技術情報協会
講座内容
本講演では、EV用パワー半導体として大きな注目が集まっているSiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開を分かり易く説明します。
習得できる知識
１）SiCパワー半導体に関する基礎知識
２）SiCパワー半導体の開発・ビジネスの概況
３）SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識
４）SiC単結晶ウェハの開発・ビジネスの概況
担当講師
関西学院大学 工学部 教授 Ph. D. 大谷 昇 氏
セミナープログラム（予定）
【第一部】SiCパワー半導体開発の現状
1.SiCパワー半導体開発の背景
1.1 環境・エネルギー技術としての位置付け
1.2 SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
2.SiCパワー半導体開発の歴史
2.1 SiCパワー半導体開発の黎明期
2.2 SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
3.SiCパワー半導体開発の現状と動向
3.1 SiCパワー半導体の市場
3.2 SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
3.3 SiCパワー半導体関連の最近のニュース
4.SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
4.1 SiC単結晶とは？
4.2 SiC単結晶の物性と特長
4.3 SiC単結晶の各種デバイス応用
5.SiCパワーデバイスの最近の進展
5.1 SiCパワーデバイスの特長
5.2 SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
5.3 SiCパワーデバイスのシステム応用
【第二部】SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望
6.SiC単結晶のバルク結晶成長
6.1 SiC単結晶成長の熱力学
6.2 昇華再結晶法
6.3 溶液成長法
6.4 高温CVD法（ガス法）
6.5 その他成長法
7.SiC単結晶ウェハの加工技術
7.1 SiC単結晶ウェハの加工プロセス
7.2 SiC単結晶の切断技術
7.3 SiC単結晶ウェハの研磨技術
8.SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
8.1 SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
8.2 SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向
【第三部】SiC単結晶ウェハ製造の技術課題
9.SiC単結晶のポリタイプ制御
9.1 SiC単結晶のポリタイプ現象
9.2 各種ポリタイプの特性
9.3 SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御
10.SiC単結晶中の拡張欠陥
10.1 各種拡張欠陥の分類
10.2 拡張欠陥の評価法
11.SiC単結晶のウェハ加工
11.1 ウェハ加工の技術課題
11.2 ウェハ加工技術の現状
12.SiCエピタキシャル薄膜成長
12.1 エピタキシャル薄膜成長の技術課題
12.2 エピタキシャル薄膜成長技術の現状
13.SiC単結晶ウェハの電気特性制御
13.1 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
13.2 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状
14.SiC単結晶ウェハの高品質化
14.1 マイクロパイプ欠陥の低減
14.2 貫通転位の低減
14.3 基底面転位の低減
15.まとめ
【質疑応答】
公開セミナーの次回開催予定
開催日
2023/10/3（火）10:30~16:30
開催場所
Zoomによるオンライン受講
受講料
1名につき55,000円(消費税込･資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49,500円(税込)〕
お申し込み方法
★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。
※お申込後はキャンセルできませんのでご注意ください。
※申し込み人数が開催人数に満たない場合など、状況により中止させていただくことがございます。
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