フォトレジスト材料の基礎と開発・設計指針【提携セミナー】

フォトレジスト材料の基本的な構成構造,材料設計および高感度化セミナー

フォトレジスト材料の基礎と開発・設計指針【提携セミナー】

このセミナーは終了しました。次回の開催は未定です。

おすすめのセミナー情報

開催日時 2024/9/19(木)10:30-16:30
担当講師

藤森 亨 氏

開催場所

【会場受講】[東京・大井町]きゅりあん5階第3講習室

定員 -
受講費 47,300円(税込)

EUV用フォトレジスト材料に関し、従来のフォトレジスト材料の歴史を簡単に
振り返りながら比較し、特有の課題やその解決法の一端について解説します。

 

フォトレジスト材料の基礎と開発・設計指針

 

EUVレジスト開発(合成から評価まで)、メタルレジストにも言及

 

【提携セミナー】

主催:株式会社情報機構

 


 

2019年、30年にもおよんだ長い検討期間を経て、ついにEUVリソグラフィが量産適用された。しかしながら、適用された各技術は、まだ序章に過ぎず多くの課題を抱えている。言い換えると、EUVリソグラフィは、まだ大きな発展の余地を残しており、これら課題を理解すること、解決することが非常に重要であると考えられている。EUV用フォトレジスト材料においても例外ではなく、多くの課題を山積するが、その背景には従来のフォトレジスト材料に比し、EUVリソグラフィ特有の難度の高い課題が存在することによる。

本セミナーでは、EUV用フォトレジスト材料に関し、従来のフォトレジスト材料の歴史を簡単に振り返りながら比較し、特有の課題やその解決法の一端について解説する。また、近年話題のメタルレジストに関しても言及する。

 

◆受講後、習得できること

フォトレジストの歴史、EUVレジストの課題、EUVレジストの開発状況
フォトレジスト用材料の特徴

 

◆受講対象者

本テーマにご関心のある化学材料メーカー(特に原材料メーカー)や周辺部材メーカーの方々。

特に、若手研究者やマーケティング担当従事者、新規分野探索担当の方、など。新人教育や新たに担当になった方の導入にも最適。

 

担当講師

富士フイルム株式会社
エレクトロニクスマテリアルズ研究所 シニアエキスパート 藤森 亨 先生

 

セミナープログラム(予定)

1.私たちの世の中を取り巻く環境の変化

1) アナログからデジタルへ

2) 電子デバイスの高速化、大容量化、省電力化

3) 各種半導体デバイスの開発動向

4) 昨今話題の日本の半導体産業、RapidusやLSTCとは?

 

2.リソグラフィ微細化の歴史

1) リソグラフィとは?

2) フォトレジストって何?どこに使われている?

3) なぜフォトレジストが必要か?

4) 微細化を牽引するムーアの法則とは?

5) ムーアの法則を実現する露光波長短波化によるリソグラフィの微細化

6) 簡単ではなかった露光波長短波化の歴史とパラダイムシフト

7) フォトレジストのケミストリー

8) フォトレジストに用いられる材料の要求性能、不純物の管理

9) ノボラック/NQDレジストと化学増幅型レジスト

10) 化学増幅型レジストの誕生により実現したKrFレジスト

11) 最初の化学増幅型レジストゆえの多彩なKrFレジストのプラットフォーム

12) 昨今のKrFレジスト、アプリケーションの拡大(厚膜レジストの誕生)

13) ArFレジスト、露光波長の短波化により何が難しかったのか?

14) EUVリソグラフィ実用化困難時代に生まれたArF液浸リソグラフィ

15) ArF液浸リソグラフィ延命の切り札、Negative Tone Development (NTD) 技術

16) ArF液浸NTDリソグラフィ適用により実現したマルチパターニングによる微細化

 

3.EUVリソグラフィ

1) EUVリソグラフィの歴史

2) ムーアの法則は、いまだ健在か?さらなる微細化は必要なのか?

3) EUVリソグラフィは、なぜ必要なのか?

4) EUV実現のための3つの重要な要素とその重要度の推移

5) 国家プロジェクトの必要性。

6) 国家プロジェクトであるEIDEC(EUVL基盤開発センター)における基礎検討

7) 基礎検討① アウトガス課題の検討

8) 基礎検討② EUV露光機の開発

9) 基礎検討③ メタルレジストの要素検討

10) メタルレジストの現在の状況

11) EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か

12) リソグラフィ工程におけるストカスティック因子の分析

-フォトンストカスティックとケミカルストカスティック

13) ストカスティック因子を解決する手段の紹介

-フォトンストカスティック解消のための施策 EUV高吸収系

-ケミカルストカスティック(膜中分布)解消のためのコンセプト

-ケミカルストカスティック(溶解不均一)解消のためのコンセプト

14) 限界といわれる化学増幅型レジストとメタルレジスト

 

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2024年9月19日(木) 10:30-16:30

 

開催場所

【会場受講】[東京・大井町]きゅりあん5階第3講習室

 

受講料

1名47,300円(税込、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

 

*学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。

 

●録音・撮影行為は固くお断り致します。
●講義中の携帯電話の使用はご遠慮下さい。
●講義中のパソコン使用は、講義の支障や他の方の迷惑となる場合がありますので、極力お控え下さい。
 場合により、使用をお断りすることがございますので、予めご了承下さい。
 *PC実習講座を除きます。

 

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

 

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