半導体デバイス入門講座【提携セミナー】
| 開催日時 | 未定 |
|---|---|
| 担当講師 | 高木 信一 氏 |
| 開催場所 | 未定 |
| 定員 | - |
| 受講費 | 未定 |
●半導体の基本的性質から、、最新の研究開発状況にも触れながらお話します。
半導体デバイス入門講座
≪トランジスタの動作原理・作製プロセスから微細化・高集積化の最新動向まで≫
【提携セミナー】
主催：株式会社情報機構
半導体産業は、IT機器を支える基幹産業としてAI/DX社会実現の主導的役割を果たすと考えられるようになり、経済安全保障の観点からも高い注目が集まっている。この半導体集積回路の基本となるデバイスが、MOSトランジスタであることから、その進化の道筋を追うことで、現在および将来の集積回路の方向性を理解することができる。本セミナーでは、半導体の基本的性質から始めて、MOSトランジスタの構造と動作原理、微細化の基本的考え方、作製プロセスの基礎、性能向上のための工夫、将来の技術発展の方向性について、最新の研究開発状況にも触れながら、解説する。
◆受講後、習得できること
- 半導体物性の基礎
- MOSトランジスタの構造と動作原理
- MOSトランジスタの微細化手法
- MOSトランジスタの作製方法の基礎
- 近年の微細トランジスタ高性能化技術の概要
- 今後のMOSトランジスタの発展の方向性
◆受講対象者
- 業務に活かすため、半導体デバイスやMOSトランジスタ、集積回路についての知見を得たいと考えている方
- 半導体集積化技術の将来像にご興味のある方
◆必要な予備知識など
- この分野に興味のある方なら、予備知識は必ずしも必要ないが、電磁気学や材料学の基礎知識がある方が理解しやすい。
◆講演中のキーワード
半導体、シリコン、MOSトランジスタ、微細化、集積回路、ロジックLSI、テクノロジーノード
担当講師
東京大学 大学院工学系研究科電気系工学専攻 教授 高木信一 先生
■ご略歴：
1987年 東京大学工学系研究科博士課程卒業、工学博士。
東芝・総合研究所入所。
1993-1995年 Stanford大学訪問研究員、
2003年-現在 東京大学工学系研究科電気系工学専攻・教授。
■ご専門および得意な分野・研究：
先端CMOSデバイスの研究
■本テーマ関連学協会でのご活動：
システムデバイスロードマップ産学連携委員会・委員
セミナープログラム（予定）
1. 半導体産業の重要性
1-1 半導体の応用分野と将来性
1-2 半導体製品の種類
2. 半導体の基礎
2-1半導体の特徴
2-2半導体中の電気伝導と移動度
2-3 n型半導体とp型半導体
2-4 pn接合と空乏層
3. MOSトランジスタの動作原理
3-1 MOSトランジスタの動作原理
3-2 MOSトランジスタとバイポーラトランジスタの違い
3-2 MOS構造のバンド図
3-3 nチャネルMOSFETとpチャネルMOSFET
3-4 インバータとCMOS構造
4. MOSトランジスタを用いた論理計算
5. MOSトランジスタの微細化とムーアの法則
5-1 集積回路のコンセプト
5-2 ムーアの法則
5-3 MOSトランジスタのスケーリング則
6. MOSトランジスタの作製方法
6-1 Si基板の作製
6-2 MOSトランジスタを作製するための基本プロセス
7. MOSトランジスタ微細化の制限要因と改良技術
7-1 ゲート絶縁膜の薄膜化限界とhigh k絶縁膜
7-2 短チャネル効果と立体構造トランジスタ
7-3 ひずみの導入や新材料による電流駆動力の向上
8. MOSトランジスタ高集積化の現状と今後の動向
8-1 テクノロジーノードとロードマップ
8-2 今後期待されるトランジスタ構造と材料
8-3 三次元集積化
公開セミナーの次回開催予定
開催日
未定
開催場所
未定
受講料
未定
備考
※配布資料・講師への質問等について
●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
（開催1週前～前日までには送付致します）。
＊準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
（全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
お申し込み方法
★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。
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