SiC-MOS構造の評価技術とプロセス技術を基礎から学べる一日セミナー！

SiCパワーMOSFET開発の現状と動向

≪MOS特性評価法とプロセス技術≫

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

SiCパワーMOSFETが実用化されてからすでに10年以上が経過し、近年は電車や電気自動車のインバータを中心に用途が拡大している。しかしながら、そのデバイス特性はSiCの有する本来の性能を十分に発揮しているとは言い難く、その理由として多量のMOS界面欠陥の存在があげられる。デバイス性能向上のためには、MOS界面で生じる現象の理解が不可欠である。SiCをはじめワイドギャップ半導体特有の現象も多く、界面特性の評価法や得られた結果の解釈に注意が必要であるため、基礎に立ち返って評価法を解説する。また、界面特性の改善のために様々なプロセスが報告されてきたが、信頼性との両立が困難であったために実用化に至らなかったものも多い。しかし、それらにも重要な知見が含まれると考えられるため、なるべく多くを紹介したい。最後にSiCパワーMOSFETの現状と動向を解説する。SiC-MOS構造の評価技術とプロセス技術の基礎を学ぶことで、今後のデバイス開発に活かしていただきたい。

◆受講後、習得できること

• MOS構造の評価技術と特性の理解
• SiCのゲート酸化膜プロセス
• SiCパワーMOSFETの最新技術

◆受講対象者

• パワー半導体の研究・開発・評価に携わる方
• ワイドギャップ半導体を扱う方
• 最近この分野に取り組み始めた方、またはこれから取り組もうとしている方

◆必要な予備知識など

半導体の基礎知識があり、MOSFETの基本動作を理解していることが望ましい

担当講師

筑波大学 数理物質系　物理工学域　准教授 博士（工学） 　矢野 裕司 氏

セミナープログラム（予定）

1．SiC-MOSFET

1）SiCについて
2）MOS界面とデバイス特性
3）SiCパワーMOSFETの構造
4）SiCパワーMOSFETの作製プロセス

2．SiC-MOS界面特性の評価技術

1）MOSキャパシタを用いた界面評価法
a）MOS構造の基礎
バンド図、蓄積・空乏・反転、表面電荷密度、
MOS構造の容量、表面ポテンシャル、しきい値電圧など
b）容量－電圧(C-V)法
ターマン法、high-low C-V法、C-Ψs法、低温C-V法、光援用C-V法など
c）コンダクタンス法
d）熱刺激電流法
2）MOSFETを用いた界面評価法
a）MOSFETの電流－電圧特性
b）チャネル移動度（実効移動度と電界効果移動度）
c）ホール効果測定（捕獲電荷・可動電荷密度とホール効果移動度）
d）しきい値電圧とその温度依存性、ヒステリシス
e）サブスレショルド特性
f）チャージポンピング法（ベーススイープ、振幅スイープ、3レベル法）

3．ゲート絶縁膜の信頼性

1）絶縁膜を流れる電流
2）経時絶縁破壊（TDDB）
面方位、転位密度、平坦性、プロセス依存性
3）しきい値電圧変動
a）ゲート正バイアスストレス（PBTS）による変動
b）ゲート負バイアスストレス（NBTS）による変動
c）ゲートACストレスによる変動
ストレス条件依存性、変動メカニズム

4．内蔵pinダイオード（ボディダイオード）に起因した特性劣化

1）バイポーラ劣化とその対策
2）ショットキーダイオード（SBD）内蔵MOSFET
SBD面積割合、SBD金属の影響

5．SiCのMOS界面プロセス技術

1）SiCの熱酸化（ドライ酸化とウェット酸化、ウェットアニール）
2）水素アニール
3）NO/N2Oアニール（界面窒化）
結晶面（Si面、C面、a面、m面、r面）による特性の違い
4）異原子導入による界面改質
Na、P、B、Ba、Sr、Sbの導入効果
5）熱酸化による欠陥生成と酸化排除プロセス

6．SiCパワーMOSFETの現状と動向

1）トレンチ型 vsプレーナ型
2）実際のデバイス構造
3）動向

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2024年7月24日（水）　10:30-16:30

開催場所

Zoomによるオンラインセミナー

受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名47,300円(税込、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名52,800円(税込、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

●録音・録画行為は固くお断り致します。

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★　Zoomによるオンライン配信

については、こちらをご参照ください

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  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
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●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
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