⭐FinFET・GAA世代やポストスケーリング世代を見据え、

半導体デバイスのエッチング加工技術、ALE技術の応用、および製造装置技術を解説

半導体製造プロセスにおける

ドライエッチングの基礎・最新技術動向

― 装置・反応メカニズムから形状制御・ALE技術まで ―

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

半導体デバイスの微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチングはその微細化の一翼を担ってきた技術である。本セミナーでは、ドライエッチング装置の概要、および表面反応モデルをベースにしたエッチング反応のメカニズムについて解説する。さらにその応用例として形状制御(寸法ばらつき、ラフネス)や装置への実装等ついて説明する。先端分野への取り組みとして、FinFET、GAA(Gate all around)世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工技術およびALE(Atomic Layer etching)技術の応用、製造装置としての技術にについて解説する。

◆習得できる知識

• プラズマエッチングの反応メカニズムとその装置実装について理解できる
• ロジック向け半導体エッチングプロセスの最新動向が理解できる
• 縦方向および横方向のALE(Atomic Layer etching)技術が理解できる

◆受講対象

半導体加工プロセスに関心のある、デバイスメーカ、装置メーカ、半導体材料メーカの方など。

◆必要な前提知識

半導体製造プロセスに関する一般的な知識

担当講師

（株）日立ハイテク　ナノテクノロジーソリューション事業統括本部
主管技師長　工学博士　伊澤　勝　氏

【専門】
半導体プラズマエッチング技術

【略歴】
2007年　ドライプロセス国際シンポジウム　論文委員長　（電気学会）
2011年～2012年　ドライプロセス国際シンポジウム　組織委員長
2019年～　SSDM組織委員

セミナープログラム（予定）

1. イントロダクション
1-1.半導体デバイスのトレンド
1-2.半導体プロセスの概要

2. ドライエッチング装置の概要
2-1. プラズマエッチング開発の歴史(概略)
2-2. プラズマ源とドライエッチング装置

3. ドライエッチングのメカニズム
3-1. イオンアシスト反応　エッチング速度のモデル式
3-2. エッチング選択比とガス
3-3. CDシフト(寸法変動)のメカニズム
3-4. 均一性制御技術：ウエハ温度・ガス分布制御
3-5. 構造起因ゲート寸法ばらつきとAPC応用

4. LER、Wiggling抑制技術
4-1. 堆積制御によるLER改善とEUV応用
4-2. 応力制御によるWiggling抑制

5. 先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術
5-1. DTCO採用に伴うエッチングの課題
5-2. Si/SiGe fin etching (ALE応用）
5-3. WFM patterning

6. GAA/CFET世代のエッチング技術
6-1. GAAのエッチング課題とSiGeリセス加工
6-2. CFETで求められるエッチング技術

7. コンフォーマルドライエッチング
7-1. 等方性ドライエッチング技術の概要
7-2. 熱サイクルALE技術と装置
7-3. 各膜材料のコンフォーマル加工

8. 製造装置としてのエッチング技術
8-1. 異物計測とその抑制
8-2. エッチング装置内壁材料

9. まとめ

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【LIVE配信】2026/2/13（金） 12:30～16:30
【アーカイブ配信】2/16～2/27（何度でも受講可能）

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員： 49,500円 （本体価格：45,000円）
会員： 46,200円 （本体価格：42,000円）

会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
★1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。

※LIVE配信とアーカイブ配信（見逃し配信）両方の視聴を希望される場合
お一人様につき、追加料金11,000円（税込）にてお申込みいただけます。
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