ダイヤモンド半導体デバイスの

研究開発動向と課題・展望

ダイヤモンドの物性・ポテンシャル、ダイヤモンドウェハの製造技術、

トランジスタ・ダイオードおよびその他デバイスへの応用など。

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

受講可能な形式：【Live配信】のみ

優れた材料物性から「究極の半導体材料」と称されるダイヤモンド。
その物性や可能性、成長技術や研磨などのダイヤモンドウェハの製造技術、各デバイス応用、実用化への課題・展望などについて解説します。

セミナー趣旨

ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。また、近年ではダイヤモンド中の窒素-空孔（NV）中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの応用が期待されています。

本講演では、半導体材料としてのダイヤモンドの魅力、そしてダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、ダイオード、トランジスタ、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発状況、課題および展望について、我々の研究成果（例：世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等）を中心に解説します。

得られる知識

• ダイヤモンドの物性
• ダイヤモンド半導体研究の歴史
• ダイヤモンドウェハ及びデバイスに関する要素技術と課題

受講対象

• ポストSiC、GaNパワーデバイスに興味をお持ちの方
• ダイヤモンドウェハ及びデバイス開発状況に興味をお持ちの方

担当講師

金沢大学　ナノマテリアル研究所　教授(リサーチプロフェッサー)／Arizona State University Visiting Professor／株式会社Kanazawa Diamond　取締役／株式会社VISION IV　技術顧問　博士(工学)　徳田 規夫　氏

専門：半導体工学
【受賞歴】
これまでに、応用物理学会論文賞や応用物理学会薄膜表面分科会論文賞、応用物理学会講演賞など計１１件の受賞
【研究内容】
学生時代に行っていた原子レベルのシリコンゲート絶縁膜、表面・界面構造制御に関する経験を基に、原子レベルのダイヤモンドエピタキシャル成長、ダイヤモンド表面・界面構造制御に関する研究に取り組み、2016年に、世界で初めて反転層ダイヤモンドMOSFETの開発に成功。現在は、ダイヤモンドウェハの開発からパワーデバイス、量子デバイスに関する研究を一貫して行っている。

セミナープログラム（予定）

１．はじめに
1.1 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
1.2 ダイヤモンド半導体研究の歴史

２．ダイヤモンドウェハ製造技術
2.1 成長技術（高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD）
2.2 不純物ドーピング技術
2.3 スライス・カット技術
2.4 研磨技術

３．ダイヤモンドダイオード
3.1 ショットキーバリアダイオード
3.2 PN接合ダイオード
3.3 ショットキーPNダイオード(SPND)

４．ダイヤモンドトランジスタ
4.1 MESFET
4.2 JFET
4.3 BJT
4.4 MOSFET

５．その他のダイヤモンド半導体のデバイス応用
5.1 励起子を用いた深紫外線発光デバイス
5.2 負の電子親和力を用いた電子放出デバイス
5.3 ダイヤモンド電気化学電極

６．まとめと今後の展開

□ 質疑応答 □

公開セミナーの次回開催予定

開催日

未定

開催場所

未定

受講料

未定

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配布資料

製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
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