先端半導体パッケージにおける高密着めっき技術【提携セミナー】

　　セミナー　　半導体/電子　　半導体・電子部品実装　　先端半導体パッケージにおける高密着めっき技術【提携セミナー】

開催日時	2025/11/13（木）　10:30~16:15
担当講師	藤原俊弥氏新宮原正三氏伊﨑昌伸氏
開催場所	Zoomを利用したLive配信
定員	30名
受講費	60,500円（消費税込み・資料付き）

★3D、チップレット化など実装構造の進化に伴うめっき技術への要求とは

「ガラス基板」や「TSV・TGV」への高密着めっき技術とその評価結果を詳解

先端半導体パッケージにおける高密着めっき技術

【提携セミナー】

主催：株式会社技術情報協会

講座内容

※セミナープログラム参照願います。

担当講師

１．アトテックジャパン(株)　エレクトロニクス事業部　事業部長　藤原俊弥氏

２．関西大学　システム理工学部　教授　理学博士　新宮原正三氏

３．奈良女子大学　特任教授　博士(工学)　伊﨑昌伸氏

セミナープログラム（予定）

＜１０：３０～１２：００＞
１．ガラスコア・インターポーザ向け湿式銅めっきプロセス
アトテックジャパン(株)　藤原俊弥氏

【本講座で学べること】

ガラスの密着を発現させる工法の一例、及び実際の評価結果例
TGVフィリングの工法と最新状況について

【講座概要】

ガラスコアやガラスインターポーザーの市場における需要が高まりつつある中、製品確立の重要な要素技術の一つである、シード層～TGVフィリングプロセスの工法例をご紹介します。他工法との比較もありますので、プロセスご検討の一助になれば幸いです。

１．開発の背景
1.1 マーケットニーズ
1.2 湿式プロセスの利点

２．密着増強プロセス
2.1 プロセスフロー
2.2 密着増強メカニズム
2.3 評価結果
2.4 使用する設備

３．TGVフィリングプロセス
3.1 工法比較
3.2 試験結果

【質疑応答】

＜１３：００～１４：３０＞
２．3次元半導体実装におけるTSVへの無電解めっき技術
関西大学　新宮原正三氏

【本講座で学べること】

３次元実装技術の基礎
無電解めっき技術の基礎
XPS,SIMS、などの分析技術
相互拡散の評価法
など

１．３次元実装TSV技術の背景

２．現状のスパッタバリアメタルを用いるTSV技術の課題

３．無電解めっきによるバリアメタル堆積
3.1 無電解めっきとは
3.2 CoWBめっき技術
3.3 CoMnめっき技術

４．無電解めっきにおける堆積形状の制御
4.1 無電解Cuめっきでの抑止剤の効果
4.2 無電解CoWBめっきでの抑止剤の効果

５．SIMSによるCu拡散バリア性評価
5.1 SIMS分析の原理
5.2 Co合金バリア膜とCuの熱処理による相互拡散評価

６．バリアメタル上への無電解Cuめっき

７．まとめと展望

【質疑応答】

＜１４：４５～１６：１５＞
３．ガラス基板上への化学的Cu層形成技術と密着性：熱力学的プロセス設計
奈良女子大学　伊﨑昌伸氏

【本講座で学べること】

化学溶液析出法と化学還元
熱力学を活用した反応機構の設計と理解
ガラス基板との密着性発現と制御
ガラス基板表面の前処理と解析技術
溶液中化学種、溶解度曲線、電位-pH図の熱力学計算ならびに描画方法

【講座概要】

ガラス基板上へのCu層形成技術は、次世代高速通信技術の普及にとって重要な研究開発課題となっている。本講義では、化学溶液析出( Chemical Bath Deposition, CBD)法を用いたCu-OH系層の形成技術と水溶液化学還元プロセスからなる加熱フリー・Pdフリー溶液化学プロセスによってガラス基板上に密着性Cu層を形成する技術について講述する。化学溶液析出法の概要と熱力学に基づく理解、ガラス基板とCu層間に密着性を得るための設計と必要な要件、ならびにCu層形成における還元過程と電気的性質・密着性などの性質などについて概説する。さらに、溶液化学プロセスの設計・開発のための熱力学計算方法について講述する。

１．ガラス基板の構造と表面状態制御
1.1 ガラス基板の構造と表面状態
1.2 前処理と表面シラノール増強

２．Pdフリー化学プロセスによるガラス基板上Cu層形成
2.1 熱力学に立脚した前駆体設計
2.2 化学還元反応とモニタリング
2.3 Cu層の特性
2.4 Cu層からCu粒子層へ

３．熱力学を活用した溶液化学プロセス設計と有用性
3.1 溶解化学種・電位-pH図・溶解度曲線：溶液化学プロセス設計のためのツール
3.2 熱力学計算を活用した設計・開発実例
3.3 沈殿フリーCBDへの考え方

【質疑応答】