先端的デバイス製作に必須の

超精密研磨／CMPプロセス技術の

基本原理から将来型加工技術へ

【3部構成】

基礎編：加工メカニズム、消耗資材としてのパッド・スラリー等、平坦化CMP技術

応用編：3D ICプロセスを念頭にしてSiC/GaN/ダイヤモンド基板を主とする難加工材料の加工プロセス技術

将来加工技術編：加工環境制御CMP、プラズマ融合CMP、その他の将来加工技術

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

近年では、特に、パワー/高周波デバイス用あるいはLED用としてサファイア、SiC、GaN、Diamondなどの難加工基板が脚光を浴びています。それに加えて、データセンター。基地局用にもLT、LN、GaAsなどの結晶基板の適用も要請されている。

多種多様な基板を高能率・高品質に超精密加工するためには、熟成・定着してきたベアSiウェーハをはじめ、デバイスウェーハ平坦化CMP技術などを例にして、加工技術の基礎を徹底理解しておくことが必要不可欠です。

ここでは、長年培ってきたガラスを含めた機能性材料基板の超精密加工プロセス技術について徹底的に掘り下げた情報を盛り込みながら、あらゆる材料の超精密加工実現の門外不出のノウハウも含めながら、難加工材料のCMP技術や超精密加工プロセス技術などを詳細に解説します。さらに、究極デバイス用ダイヤモンド基板を含めた高効率加工プロセスなどについても言及し、新しい研究開発のビジネスチャンスをつかんでいただく橋渡しをさせていただきます。

◆習得できる知識

オプトメカトロニクス・半導体分野の超精密加工プロセス技術の基礎からデバイスへの応用技術までの全容を理解してビジネスチャンスを得る。
また、超精密加工技術の現状と将来加工技術の展望を把握して次の一手を考える。

◆受講対象

• 加工技術の一般知識、研磨とCMP、超精密加工プロセス技術、デバイス化への応用を考えている技術者、そして将来加工技術を学ぼうとする技術者
• 半導体プロセスとプラナリゼーションCMP技術、CMPの市場動向を把握したい方（技術者、営業技術者など含めて）

◆キーワード

CMP,超精密,研磨,パッド,スラリー,平坦化,ウエハ,半導体,講座,研修,セミナー

担当講師

（株）Doi laboratory　代表取締役／九州大学・埼玉大学　名誉教授　土肥 俊郎　氏

【専門】
超精密加工プロセス技術全般、プラナリゼーションCMP・プラズマ融合CMP技術
（CMPにおける装置・スラリー・パッド等の設計と開発研究）

【その他の活動・略歴など】
・精密工学会　フェロー
・「プラナリゼーションCMPとその応用専門委員会」名誉会長／前委員長
・日本工学アカデミー　正会員
・理化学研究所　客員研究員
・日本学術振興会第136委員会「将来加工技術」顧問／前委員長
・第145委員会「結晶加工と評価技術」顧問
・日本オプトメカトロニクス協会　顧問
・「光部品生産技術部会」部会長
・大連理工大学　客員教授（海天学者）
・湖南大学　客員教授
・浙江工業大学　客員教授
・工学博士（東京大学）

セミナープログラム（予定）

Ⅰ 基礎編：超精密加工技術の基礎編
－研磨／CMPの発展経緯と加工メカニズム基礎、
各種基板の加工事例から基本技術を徹底理解－
1. 超精密研磨（研削／ラッピング／ポリシング／CMP等）技術の位置づけ、必要性と適用例
2. 基本的加工促進のメカニズム概要の理解
3. 各種機能性材料の超精密ポリシング　－コロイダルシリカ・ポリシング／CMPを含めて－
（ここで登場する被加工用基板：HD・光ファイバ用ガラス、Si、サファイア、
GaAs、LT、水晶、GGG、SiC、有機結晶など）

Ⅱ デバイス化への応用編：
－超LSIデバイス・多層配線用の平坦化CMPの基本的考え方、
そしてハイブリッド・ボンディングへの道／3D ICプロセスへの適用のキー技術－
1. デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
2. 平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例　－パッド・スラリーそして装置―
3. パッドのドレッシング
－非破壊ドレッシング／HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案―
4. CMP用スラリーの設計とそのため必須のダイナミック電気化学（d-EC）装置の紹介
5．Siウェーハのナノトポグラフィ問題、他
6. 3D ICプロセスにおけるCu-CMPとハイブリッド・ボンディング
（ここで登場する被加工用基板：Si、SiO2、Cu、W、Co、Ta、TaN、TiN、PI等の有機膜など）

Ⅲ 将来加工編；将来加工技術
－革新的高能率・高品質加工プロセス技術（SiC・GaN/Diamond基板を対象として）－
1. 革新的加工技術へのブレークスル　－（2つの考え方から）加工条件改良型ブレークスル－
ダイラタンシーパッドと高速高圧加工装置の考案とその加工プロセス・加工特性事例
2. 将来型加工技術に向けて／新しい研磨方法の可能性を探る
（1）加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
（2）パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
（3）挑戦型加工によるブレークスルー
将来型プラズマ融合CMP法の考案とその加工特性事例
（ここで登場する加工用基板：SiC、HD用ガラス、GaN、
ダイヤモンド、サファイア、Si、SiO2など）

Ⅳ 総括編：
－今後の加工技術を捉える（深化するAIとシンギュラリティ【技術的特異点】を見据えて）－
将来型3D ICを目指して異種材料/多結晶材料の平坦化手法の探索
◎重要五大キー加工技術：
・超精密CMP融合技術
・超薄片化プロセス技術
・超薄片化加工
・大口径超精密ボンディング技術
・修正トリミング加工

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2024年02月13日（火） 10:30～16:30

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員： 55,000円 （本体価格：50,000円）
会員： 44,000円 （本体価格：40,000円）

会員の方あるいは新規会員登録していただくと、下記の割引が適用されます。

• 1名申込の場合、55,000円（税込）→44,000円（税込）
• 2名同時申込の場合、合計110,000円（税込）→合計55,000円（税込）
  ※両名の会員登録が必要です。

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備考

• 本セミナーは「Zoom」を使ったWEB配信セミナーとなります。

• セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

お申し込み方法

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