知っておきたい表面・界面の基礎知識から表面分析・評価手法および

利用するためのアプローチ方法を習得！

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

■はじめに

表面、界面はあらゆる技術や製品の基盤となるものであり、現在扱われる材料やプロセス、技術、商品で表面や界面が関与していないものは無いと言っても過言ではありません。これは言い方を変えると、現代は表面、界面に支配されているとも言えます。そのため、分析手法一つにしても多種多様なものが開発され、利用されています。しかし、一方で表面や、特に界面はまだ未解明な部分も多く、多様な分析方法の選択・活用、そして、表面・界面の姿を明らかにすることは容易ではありません。

本講では、表面、界面の基礎から、表面分析評価を中心にして、その姿を明らかにして利用するためのアプローチについて、技術的テクニック、コツやノウハウから、考え方、実践まで事例を交えて解説します。

◆　得られる知識

• 表面分析の基礎
• 表面分析の考え方と活用法
• 各種表面分析手法の使い方
• 表面、界面の可視化法
• 研究開発、問題解決へのフィードバック

◆　対象

• 研究開発部門、分析部門、製造部門、品質保証部門など技術部門全般
• 若手から中堅を中心とした担当者
• 部署マネジメント、部下を育成・教育する管理者、マネージャー

◆　特典

【セミナー受講特典コンサルティング】

セミナーに受講して名刺交換等をさせて頂いた方への特典サービスとして、初回限定で限定特別料金にてコンサルティングをご利用いただけます。技術的な相談はもちろん、戦略相談、オンサイトセミナーなど、依頼条件を満たす限り原則として実施内容、方法に制限はありません。
技術コンサルティングには興味があるが利用したことがないので、どのようなものか良くわからず正式依頼に踏み切れない、決裁を取るために一度ディスカッションしたいという方は、是非この機会に、JRLのコンサルティングを御体験ください。限定特典ではありますが、必ず満足のいただける内容でお応えします。

＜依頼条件＞

• 初回１回のみ
• セミナー実施日より３カ月以内に依頼が成立
• コンサルティング実施時間：４時間程度まで
• 費用：場所、内容によらず定額の限定受講特典

＊同業者の方（コンサルタント業等）・及び個人でのお申込みの場合、
受講をお断りする場合がございますので、予めご了承下さい。

• 本セミナーは、Zoom ミーティングで行います。
  
• 本セミナーでは、受講者のカメラは原則 on にてお願いを致しております。
  
• 本セミナーでは事前質問は受付しておりません。セミナー終了後の質疑の時間にご質問をお願い致します。
  
• 受講申込者の「メールアドレス」は講師へ通知させて頂きます。
  （講師からのフォロー・情報提供が目的です。不都合がございましたら、申し込みフォームの備考欄にてお知らせ下さい。）

担当講師

ジャパン・リサーチ・ラボ 代表
兼 大阪産業大学　情報システム学科　非常勤講師
京都産業２１　相談員
滋賀県産業支援プラザ　相談員
知財管理技能士 　博士（工学）　奥村 治樹 氏

セミナープログラム（予定）

1 【表面に支配される現代社会】
1.1 膜・界面、そして、現代技術を支配する表面
1.2 表面・界面の重要性

2 【表面とは】
2.1 表面（薄膜）とは？
2.2 表面のかかわる代表的事象
2.3 表面の要素
2.4 表面における現象
2.5 代表的な表面処理

3 【界面とは】
3.1 界面における現象
3.2 多層膜による界面形成
3.3 薄膜化による界面の変化

4 【表面・界面を支配するもの 】
4.1 界面形成
4.2 界面形成を支配する接着
4.3 界面を形成する力
4.4 表面・界面形成を支配するもの
4.5 表面・界面形成因子と評価法
4.6 表面を支配するには

5 【表面分析成功のキーポイント 】

6 【サンプルの取り扱い】

7 【代表的表面分析手法】

8 【表面分析の分類 】
8.1 表面分析に用いる主な手法と選び方
8.2 表面・微小部の代表的分析手法
8.3 手法の選択

9 【接触角測定法】

10 【X線光電子分光法（ＸＰＳ，ＥＳＣＡ）】
10.1 XPSの原理
10.2 XPSの検出深さ
10.3 装置構成例
10.4 XPSの特徴？
10.5 ワイドスキャン（サーベイスキャン）
10.6 ナロースキャン（代表的な元素）
10.7 元素同定
10.8 化学状態の同定
10.9 角度変化測定による深さ方向分析
10.10 チャージアップの影響と対応
10.11 化学状態による違い
10.12 チャージアップへの工夫
10.13 イオンエッチングダメージ
10.14 エッチング条件と効果
10.15 エッチング条件とスパッタレート
10.16 イオンエッチングによるクロスコンタミ
10.17 ちょっと便利なサイトやソフト
10.18 ハイブリッド分析

11 【オージェ電子分光法（AES）】
11.1 微小領域の元素分析手法
11.2 ＡＥＳの原理
11.3 装置構成例
11.4 ＡＥＳ測定例
11.5 界面拡散の分析　１
11.6 AESによる状態分析例
11.7 チャージアップ抑制
11.8 絶縁体上の異物
11.9 化学状態マッピング
11.10 XPSとAESの手法の比較

12 【X線マイクロアナライザ（EPMA）】
12.1 EPMAの原理
12.2 元素分布分析（被着体金属基板の断面）
12.3 積層膜の分析例

13 【二次イオン質量分析法（SIMS）】
13.1 ＳＩＭＳの概念
13.2 D-SIMSに用いられる質量分析法
13.3 D-SIMS測定例と特徴
13.4 TOF-SIMS装置の構成
13.5 TOF-SIMSの概要
13.6 TOF-MSの原理
13.7 TOF-SIMSによる化学構造解析

14 【フーリエ変換赤外分光法（ＦＴ－ＩＲ）】
14.1 赤外分光法（IR）の原理
14.2 FT-IRの長所・短所
14.3 測定法
14.4 周辺環境の影響
14.5 主な吸収帯
14.6 赤外分光の構造敏感性
14.7 指紋領域の利用
14.8 系統解析
14.9 帰属の考え方
14.10 全反射法（ATR法）
14.11 ATR法と検出深さ
14.12 ATR法における注意点
14.13 In-situ　FT－IR

15 【グロー放電分析（GD）】

16 【形態を知る】

17 【ＳＥＭ、ＴＥＭ】
17.1 表面形状と組成
17.2 SEM－EDS組成分析
17.3 試験前後の比較
17.4 SEM観察例
17.5 試料作製法の比較

18 【走査型プローブ顕微鏡（SPM）】
18.1 SPMとは
18.2 主な走査型プローブ顕微鏡
18.3 形態観察におけるAFMの位置づけ
18.4 観察例
18.5 位相イメージングの例
18.6 位相像

19 【界面分析】

20 【界面評価の重要性と課題】
20.1 界面の例
20.2 界面の形成
20.3 界面の分類
20.4 界面における課題
20.5 界面分析の重要性
20.6 一般的深さ方向分析
20.7 従来法と問題点
20.8 化学増幅型レジストのD-SIMS分析
20.9 精密斜め切削法
20.10 斜面角度と深さ方向分解能
20.11 傾斜面の例
20.12 新しいアプローチ

21 【解析の実例】

22 【ＵＶ照射による化学構造の評価】

23 【表面構造変化の解析（XPS）】

24 【気相化学修飾法】

25 【化学修飾法を用いたTOFイメージング】

26 【ポリイミドの表面処理層の深さ方向分析】

27 【ＰＩ／Ｃu／Ｓi界面の解析】

28 【まとめ】

29 質疑

公開セミナーの次回開催予定

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未定

開催場所

未定

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受講料

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配布資料

※配布資料等について

●配布資料は、印刷物を郵送で1部送付致します。
・お申込の際にお受け取り可能な住所を必ずご記入ください。
・郵送の都合上、お申込みは4営業日前までを推奨します。（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
・それ以降でもお申込みはお受けしておりますが（開催1営業日前の12:00まで）、その場合、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございますことご了承ください。
・資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。

備考

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止致します。

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