光電融合技術へ向けた異種材料集積化と光集積回路の開発【提携セミナー】
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光電融合技術へ向けた異種材料集積化と光集積回路の開発【提携セミナー】
| 開催日時 | 2026/5/28（木）10:30~16:15 |
|---|---|
| 担当講師 | 下村 和彦 氏 |
| 開催場所 | ZOOMを利用したLive配信 |
| 定員 | 30名 |
| 受講費 | 60,500円（消費税込・資料付き） |
★Co-Packaged Opticsへ向けた半導体レーザの集積化、光チップレット実装、光結合技術！
光電融合技術へ向けた異種材料集積化と光集積回路の開発
【提携セミナー】
主催：株式会社技術情報協会
講座内容
【第1部】
本講座では、シリコンプラットフォームへ化合物半導体を集積化する技術として、直接成長、ウエハ貼付け技術など各種方法について、それぞれの方法のメリット、デメリットを説明する。またテンプレート基板を用いた結晶成長、半導体レーザの特性について説明する。
【第2部】
シリコン系光導波路素子とその集積技術は基礎的な研究段階から，産業展開に至る実用化開発段階へ移行しており，市場は急拡大を続けている．その一方，更なる高密度・高性能な光集積回路を実現に向けて，解決すべき技術課題が多数認識されており，新たなブレークスルーが求められる．本講演では基本的な素子動作原理から近年の技術動向，取り組むべき諸課題について取り上げ，解説を行う．
【第3部】
本講座では、垂直光I/Oアーキテクチャという観点から光結合技術を位置づけ直し、その具体的な実現手段としてシリコン立体湾曲型光結合器を取り上げる。本技術は、表面型結合による2次元配置への適合性、超広帯域動作、位置および角度ずれに対する高い許容性といった特長を有し、次世代の光インターコネクトにおける有力な構成要素となり得る。
習得できる知識
【第1部】
- シリコンプラットフォームへの化合物半導体デバイスの集積方法
- シリコン基板への化合物半導体の結晶成長
- シリコン基板への化合物半導体の貼り付け技術
- InP-シリコンテンプレート基板上結晶成長
- シリコン基板上化合物半導体レーザの特性
【第2部】
- 光導波構造の基礎，各種材料を活用した場合の長所／短所の比較
- シリコンフォトニクスデバイスの基本動作原理，研究開発の現状
- モノリシック／ハイブリッドフォトニクス集積技術，ファブレス化の動向
【第3部】
- 次世代光インターコネクト（AI/HPC・データセンタ）における要求仕様と技術課題
- エッジカプラおよびグレーティングカプラの特性と構造的限界
- 広帯域垂直光I/Oアーキテクチャの概念・原理と従来技術との違い
- 位置ずれ・入射角に対する許容特性
- イオンビーム照射（IIB）を用いた高精度加工技術とプロセス制御
- 2次元アレイ化による高密度光I/Oへの展開可能性
- Co-Packaged Optics（CPO）および次世代光インターコネクトへの応用可能性
担当講師
上智大学 理工学部 教授 下村 和彦 氏
(国研)産業技術総合研究所 光電融合研究センター 上級主任研究員 高 磊 氏
(国研)産業技術総合研究所 光電融合研究センター 主任研究員 吉田 知也 氏
セミナープログラム（予定）
＜１０：３０～１２：００＞
１．シリコン基板上への化合物半導体レーザの集積化技術
上智大学 下村 和彦 氏
１．シリコンプラットフォームへの化合物半導体集積化技術
1.1モノリシック集積
シリコン基板への直接成長、選択成長
1.2ハイブリッド集積技術
フリップチップボンディング
基板レベルでの貼り合わせ技術 親水性直接貼付、PAB、SAB
ハイブリッド集積の問題点
1.3貼り合わせテンプレート基板への集積化技術
薄膜層-シリコン基板の貼り合わせ
スマートカット技術
２．InP-Siテンプレート基板上1.5μm帯半導体レーザ
2.1テンプレート基板の特性
表面状態とPL強度、接合強度、ボイド
2.2テンプレート基板への結晶成長
有機金属気相成長法
X線回折、PL特性
選択成長
2.3テンプレート基板上半導体レーザの特性
ダブルヘテロレーザ、量子井戸レーザ
＜１３：００～１４：３０＞
２．薄膜転写法による異種材料光チップレット集積化技術
(国研)産業技術総合研究所 高 磊 氏
１．光導波路の基礎
1.1 ガラス，化合物半導体，シリコン系導波路の特徴
２．シリコン系光導波路デバイス
2.1 パッシブ光デバイス（カプラ，フィルタ，入出力光結合など）
2.2 光変調器
2.3 受光器
2.4 レーザー光源
３．フォトニクス集積技術
3.1 ムーアの法則と集積フォトニクスデバイスの活用
3.2 CMOS互換モノリシック集積技術
3.3 多彩な異種材料を活用したハイブリッド集積技術
3.4 光チップレット，2.5/3次元実装
3.5 ファブレス化，ファウンドリーサービスの現状
＜１４：４５～１６：１５＞
３．次世代光インターコネクトに向けた広帯域垂直光I/Oアーキテクチャと集積化技術
(国研)産業技術総合研究所 吉田 知也 氏
１．次世代光インターコネクトにおける要求と課題
２．シリコン光集積回路（Si-PIC）のスケーリング限界
３．光I/Oにおける要求仕様の整理
４．エッジカプラの特徴と限界
５．グレーティングカプラの特徴と限界
６．既存光結合技術の比較
７．広帯域垂直光I/Oアーキテクチャの必要性
８．シリコン立体湾曲光結合器の基本原理
９．ビーム制御と光学設計
１０．超広帯域性について（原理）
１１．実験結果：結合効率・帯域特性
１２．入射角・位置ずれに対する許容度
１３．高精度加工技術と製造プロセス
１４．二次元アレイ化と高密度光I/Oへの展開
１５．応用展開と今後の課題
【質疑応答】
公開セミナーの次回開催予定
開催日
2026/5/28（木）10:30~16:15
開催場所
ZOOMを利用したLive配信
受講料
1名につき60,500円(消費税込･資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき55,000円(税込)〕
備考
資料は事前に紙で郵送いたします。
お申し込み方法
★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。
※お申込後はキャンセルできませんのでご注意ください。
※申し込み人数が開催人数に満たない場合など、状況により中止させていただくことがございます。
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