微細Cu配線・Low‑k/Air-Gap材料・Post-Cu材料に見る

先端多層配線技術

≪Cu代替材料・ナノカーボン・Low-k材料の低誘電率化、

プロセスダメージなどの課題まで徹底解説≫

≪「多層配線/2.5D・3Dデバイス」2日間セミナー1日目≫

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

二日間のセットでのお申し込みがお得です。

■9月9日(水)13:00～17:30「HBM・チップレット時代の3D積層技術と先進パッケージの最新動向」■

半導体の微細化限界が近づく中、性能向上の鍵として2.5D/3D集積化やチップレット技術への注目が高まっています。
本セミナーでは、TSVによる3次元積層技術、HBMや3D-NANDの実装技術、Hybrid Bonding、CoWoS、Foverosなどの先進パッケージ技術を解説します。さらに、TSMC・Intel・Samsungの最新動向や、チップレットエコシステム、高周波対応材料、ガラス基板の開発動向まで含め、次世代半導体集積技術の方向性を俯瞰し解説します。

担当講師

名古屋大学　未来社会創造機構　客員教授 兼 技術コンサルタント(半導体分野)
元 (株)東芝　研究開発センター　首席技監
柴田 英毅 氏​

【専門】
半導体デバイス・プロセス技術 ／ 半導体集積回路技術 ／ 多層配線形成技術 ／ 三次元デバイス集積化技術
MEMS技術 ／ 光伝送技術 ／ 材料強度学 ／ 金属疲労学 固体物理学 ／ 薄膜材料物性学
【所属学会・業界での活動】
JEITA STRJ (半導体技術ロードマップ専門委員会) 配線WG委員長
ITRS国際半導体技術Roadmap Interconnect-TWG(Co-Chair)
Selete研究運営委員及び先端コアBEPプログラム委員
半導体MIRAIプロジェクト/Selete-NSI (Nano. Silicon Integration) 技術委員
応用物理学会 集積化MEMS技術研究会副委員長
SSDM組織委員、SIRIJ業界戦略委員、COCN(産業競争力懇談会)Proj.S委員会委員
内閣府FIRST/ImPACT/SIPの東芝側実用化・事業化責任者、他多数

セミナープログラム（予定）

１．多層配線技術の役割とスケーリング，材料・構造・プロセスの変遷
1.1 多層配線の役割と要求，階層構造，フロアプランの実例
1.2 配線長分布と配線階層(Local, Intermediate,(Semi-)Global)毎のRC寄与度の違い
1.3 下層(Local)・中層(Intermediate)及び上層((Semi-)Global)配線のスケーリング理論
1.4 多層配線技術の進化の足跡
1.5 配線・コンタクト・Viaホールの材料・構造・プロセスの変遷

２．微細Cuダマシン配線技術の基礎～最新動向
2.1 配線プロセスの変遷(Al-RIE⇒Cuダマシン)
2.2 金属材料の物性比較とCu選定の考え方
2.3 Cu酸化拡散防止膜(バリアメタル)の要件と材料候補(Ta(N),Ti(N),Nb(N),W(N))
2.4 Ta(N)の課題(対Cu濡れ性,対酸化性)とTi(N)の優位性
2.5 バリアメタル及びSeed-Cuスパッタ法の変遷と課題
2.6 CVD-Ru，Co, RuCoライナーによるCu埋め込み性の改善
2.7 Mnを利用した超薄膜バリア(MnSixOy)自己形成技術
2.8 Cu電解めっきプロセスの概要と無電解法, Cuリフロー法, MOCVD法との比較, Additiveの重要性，役割，選定手法
2.9 CMPプロセスの概要と研磨スラリーの種類，適用工程の拡大
2.10 Cu-CMにおける低機械強度Low-k対応施策(低荷重, 複合粒子スラリー, Pad表面改質)

３．Post-Cu配線技術の基礎～最新動向
3.1 Cuダマシン配線における微細化・薄膜化による抵抗増大
3.2 平均自由行程からみたCu代替金属材料候補の考え方
3.3 W，Co，Ru，Mo，Ni, Al2Cu, NiAl, CuMgなどの最新開発動向から見た有力候補
3.4 金属配線の微細化限界についての考察とナノカーボン材料への期待
3.5 多層CNT(MWCNT)によるViaホールへの埋め込みと課題
3.6 多層グラフェン(MLG)による微細配線形成と低抵抗化検討結果

４．低誘電率(Low-k/Air-Gap)絶縁膜形成技術の基礎～最新動向
4.1 Cu配線に用いられている絶縁膜の種類と役割
4.2 各種配線パラメータの容量に対する感度解析結果
4.3 ITRS(国際半導体技術ロードマップ委員会)Low-kロードマップの課題と大改訂
4.4 比誘電率(k)低減化の手法と材料候補(SiOF, MSQ/SiOC, PAr, BCBなど)
4.5 層間絶縁膜(ILD)構造の比較検討(Monolithic vs. Hybrid)
4.6 材料物性から見たLow-k材料の課題(低機械強度, 低プラズマダメージ耐性など)
4.7 Porous材料におけるPore分布の改善とEB/UV-Cure技術の適用効果
4.8 Porous材料におけるダメージ修復技術の効果
4.9 Pore後作りプロセスの提案とLow-k材料の適用限界の考察
4.10 Air-Gap技術の導入の考え方と構造・方式の比較、課題、現実的な解

　□ 質疑応答 □

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【ライブ配信】 2026年9月2日（水）  13:00～17:30

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

※9月2日(水)13:00～17:30「微細Cu配線・Low‑k/Air-Gap材料・Post-Cu材料に見る 先端多層配線技術」のみ受講の場合

定価：本体45,000円＋税4,500円
E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円

E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須​／１名あたり定価半額の24,750円)

テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】

1名申込み： 受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)

定価：本体36,000円＋税3,600円
E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円

※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。

※お申込みフォームのメッセージ欄に【テレワーク応援キャンペーン希望】とご記載ください。
※他の割引は併用できません。

※9月9日(水)13:00～17:30「HBM・チップレット時代の3D積層技術と先進パッケージの最新動向」とセット受講の場合

定価：本体70,000円＋税7,000円

E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で77,000円(2名ともE-Mail案内登録必須​／１名あたり定価半額の38,500円)

テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
受講料 61,600円(E-Mail案内登録価格 58,520円)

定価：本体56,000円＋税5,600円
E-Mail案内登録価格：本体53,200円＋税5,320円

※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。

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※他の割引は併用できません。

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配布資料

• PDFテキスト(印刷可)
  ※PDFテキストはマイページよりダウンロードいただきます。(開催の営業日2日前よりダウンロード可)

オンライン配信のご案内

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備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

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