○光導波構造の基礎から、シリコンフォトニクスデバイスの動作原理や研究開発動向、

モノリシック／ハイブリッド集積技術や2.5/3次元実装、ファブレス化の動きまで。

先端技術を基礎から包括的に学べます！

シリコン系光導波路の基礎と

フォトニクス集積技術の最新動向、今後の展望まで

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

シリコン系光導波路素子とその集積技術（通称：シリコンフォトニクス）は基礎的な研究段階から，産業展開に至る実用化開発段階へ移行しており，市場は急拡大を続けている．その一方，更なる高密度・高性能な光集積回路を実現に向けて，解決すべき技術課題が多数認識されており，新たなブレークスルーが求められる．本講演では基本的なシリコンフォトニクス素子の動作原理から最近の技術動向，将来に渡って取り組むべき諸課題について取り上げ，解説を行う．

◆受講後、習得できること

• 光導波構造の基礎
• 各種光材料を適用した場合の長所／短所比較
• シリコンフォトニクスデバイスの基本動作原理，研究開発の現状
• モノリシック／ハイブリッドフォトニクス集積技術，ファブレス化の動向
  など

◆受講対象者

本テーマに興味のある方なら、どなたでも受講可能です。

◆必要な予備知識など

この分野に興味のある方なら、特に予備知識は必要ありません。光導波路の基礎では高校卒業レベルの数学および物理を使います．

担当講師

産業技術総合研究所
プラットフォームフォトニクス研究センター　シリコンフォトニクス研究チーム
主任研究員　高 磊 氏

日本電信電話株式会社 研究員，カリフォルニア大学バークレー校 博士研究員（日本学術振興会 海外特別研究員）を経て，2016年に国立研究開発法人 産業技術総合研究所入所．現在，プラットフォームフォトニクス研究センター シリコンフォトニクス研究チーム所属，主任研究員．

セミナープログラム（予定）

１．光導波構造の基礎
1.1　1次元の光閉込めと光伝搬
1.2　2次元（3層スラブ導波路）の固有値方程式と導波モード形成
1.3　高次モードとカットオフ
1.4　ガラス，化合物半導体，シリコン系導波路の比較

２．シリコン系光導波路デバイス
2.1　パッシブ光デバイス（カプラ，フィルタ，入出力光結合など）
2.2　光変調器
2.3　受光器
2.4　レーザー光源

３．最新のフォトニクス集積技術
3.1　ムーアの法則と集積フォトニクスデバイスの活用
3.2　CMOS互換モノリシック集積技術
3.3　多彩な異種材料を活用したハイブリッド集積技術
3.4　光チップレット，2.5/3次元実装
3.5　ファブレス化，ファウンドリーサービスの現状

＜質疑応答＞

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2025年2月12日（水）　13:00-17:00　＊途中、小休憩を挟みます。

開催場所

Zoomによるオンラインセミナー

受講料

【オンライン受講：見逃し視聴なし】　1名41,800円(税込、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

【オンライン受講：見逃し視聴あり】　1名47,300円(税込、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

オンライン配信のご案内

★　Zoomによるオンライン配信

については、こちらをご参照ください

備考

※配布資料等について

●配布資料はPDF等のデータで配布致します。ダウンロード方法等はメールでご案内致します。

• 配布資料に関するご案内は、開催1週前～前日を目安にご連絡致します。
• 準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止致します。

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