★次世代パワーデバイスの研究開発動向と課題、今後の展望を解説します

Si、SiC、GaN、Ga2O3パワーデバイスの

技術開発動向と日本の現状

【提携セミナー】

主催：株式会社技術情報協会

講座内容

パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。
これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。
本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望、さらに、日本のパワーデバイス復活の可能性について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

習得できる知識

次世代パワーデバイスの研究開発動向と課題、今後の展望について理解が深まる

担当講師

グリーンパワー山本研究所　所長　 工学博士　 山本 秀和 氏

セミナープログラム（予定）

【講演ポイント】

パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。
これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。
本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望、さらに、日本のパワーデバイス復活の可能性について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

【プログラム】

１．パワーデバイスの用途と電力変換

２．パワーチップおよびパワーモジュールの構造

３．Siパワーデバイス高性能化の歴史と最新構造

４．SiCパワーデバイスの優位性と技術課題

５．GaNパワーデバイスの優位性と技術課題

６．Ga2O3パワーデバイスの優位性と技術課題

７．パワーデバイス業界における日本の地位と将来展望

８．日本のパワーデバイスの復活に向けて

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【Live配信】2025/12/4（木）10:30~17:10

【アーカイブ】2025/12/15まで受付（視聴期間：12/15~12/25まで）

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

1名につき55,000円(消費税込･資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49,500円(税込)〕

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