半導体ウェットエッチングの基礎、加工特性の制御とプロセスのグリーン化【提携セミナー】
| 開催日時 | 未定 |
|---|---|
| 担当講師 | 田中 浩 氏 |
| 開催場所 | 未定 |
| 定員 | 未定 |
| 受講費 | 未定 |
★技術動向、メカニズム、エッチング特性の制御と環境対応技術
半導体ウェットエッチングの基礎、
加工特性の制御とプロセスのグリーン化
【提携セミナー】
主催：株式会社技術情報協会
講座内容
- 等方性エッチングと異方性エッチング
- シリコンの異方性ウェットエッチング
- 次世代半導体デバイス（SiC, GaN，Ga2O3など）のウェットエッチング
習得できる知識
- 次世代デバイス材料のウェットエッチングの加工特性、エッチングプロセスのグリーン化について理解が深まる
担当講師
愛知工業大学 工学部 機械学科 教授 博士（工学） 田中 浩 氏
セミナープログラム（予定）
【講演ポイント】
ウェットエッチング加工は，表面に加工歪が残らない事や化学的・結晶学的な作用に基づく異方性加工が行えるなど，機械的・物理的加工と異なるメリットを持つ．一方，毒劇物となる薬品を使用する場合が多く，人体や環境への影響を常に考える必要がある．
今後も半導体・MEMSの加工分野では必要不可欠な加工であり，基盤技術の一つとして持続可能性のあるプロセスにしなければならない．
本講演では，半導体材料のウェットエッチングの全体像や動向を掴んで頂くと共に，半導体の代表材料である単結晶シリコンのエッチング加工特性とそのメカニズムについて理解頂けるようにする．加えて，次世代デバイス材料のウェットエッチングの加工特性，最後にエッチングプロセスのグリーン化への取り組みと環境対策について説明を行う．
１．ウェットエッチングのマクロ的な特徴（等方性エッチングと異方性エッチング）
２．ウェットエッチングのミクロ的な特徴（化学的溶解機構）
３．シリコンの異方性ウェットエッチングにおける加工特性とメカニズム
４．次世代半導体デバイス（SiC, GaN，Ga2O3など）のウェットエッチング加工特性
５．ウェットエッチングプロセスにおけるグリーン化、環境対策
【質疑応答】
公開セミナーの次回開催予定
開催日
未定
開催場所
未定
受講料
未定
備考
資料は事前に紙で郵送いたします。
お申し込み方法
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