次世代パワー半導体とパワーデバイスの

結晶欠陥の特定、評価技術とその動向、課題

≪ワイドギャップ半導体の結晶評価の各手法の原理と適用事例、範囲と課題≫

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

受講可能な形式：【ライブ配信】のみ

デバイス性能や信頼性を著しく低下させる要因である格子欠陥の分布や種類を正確にとらえ
そして得た情報を結晶成長およびデバイスプロセスにフィードバックするには
従来の半導体材料を凌駕する高電力密度、低損失、高温動作時の安定性などを持つ
4H-SiC、GaN、β-Ga2O3、AlN等のワイドギャップ化合物半導体を用いた次世代パワーデバイスの研究開発を加速
動作中のデバイスの欠陥観察の最新の研究内容も解説

セミナー趣旨

4H-SiC、GaN、β-Ga2O3、AlNに代表されるワイドギャップ化合物半導体は、高電力密度、低損失、高温動作時の安定性など、従来の半導体材料を凌駕する特性を有しており、近年、これらを用いた次世代パワーデバイスの研究開発が急速に進展している。しかし、これらの材料は強い共有結合を持つため結晶成長が難しく、成長後の結晶中には転位などの格子欠陥が高密度で存在する。一部の格子欠陥はデバイス性能や信頼性を著しく低下させる要因（いわゆるキラー欠陥）となるため、欠陥の分布や種類を正確に把握し、それらの情報を結晶成長およびデバイスプロセスにフィードバックすることが極めて重要である。

本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、各手法の原理と適用事例について基礎から解説する。加えて、各評価技術の適用範囲や課題についても述べるとともに、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡（TEM）、多光子励起顕微鏡など、最新の評価手法に関する取り組みについて紹介する。

得られる知識

パワーデバイス用半導体結晶中の欠陥の評価技術を習得できる

受講対象

ワイドギャップパワー半導体の結晶成長と評価に携わる若手研究者・技術者

キーワード

：パワーデバイス、結晶欠陥

担当講師

三重大学　研究基盤推進機構　半導体・デジタル未来創造センター　教授　博士（工学）　姚 永昭　氏

セミナープログラム（予定）

1．はじめに
1-1 パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
・カーボンニュートラルの産業イメージ
・パワーデバイスとは何か
・次世代のパワーデバイス ― ワイドギャップ半導体
1-2 結晶中の欠陥
・格子欠陥による「信頼性」の懸念
・欠陥の種類
1-3 欠陥評価手法とその適用範囲

2．結晶評価手法
2-1 選択性化学エッチング（エッチピット法）
・SiCのエッチピット形成と分類
・GaNのエッチピット形成と分類
・AlNのエッチピット形成と分類
・Ga2O2のエッチピット形成と分類
2-2 透過型電子顕微鏡
・SiCの転位同定
・GaNの刃状転位、らせん転位、と混合転位
2-3 多光子励起顕微鏡
2-4 X線回折とX線トポグラフィー
・放射光X線トポグラフィー（XRT）とは何か
・XRTの原理
・反射配置XRT
・透過XRT
2-5 その他の手法

3．最新の研究内容 動作中のデバイスの欠陥観察

質疑応答

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【ライブ配信】 2025/7/24（木）10:30～16:30

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

一般受講：本体50,000円＋税5,000円
E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円

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2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の27,500円)

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1名申込みの場合：受講料44,000円( E-Mail案内登録価格 42,020円)

定価：本体40,000円＋税4,000円
E-Mail案内登録価格：本体38,200円＋税3,820円

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配布資料

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