最先端ドライエッチング技術

～ドライエッチングのプロと装置・コンポーネント・材料メーカーエンジニアのための特別講座～
～GAAエッチング、クライオエッチング、アトミックレイヤーエッチングを含む最先端ドライエッチング～
～スマートファクトリ対応インテリジエントツールを詳説～

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

受講可能な形式：【会場受講：定員25名まで】のみ

※オンラインセミナーはありません。定員がありますのでお早めにお申込みください。

★ 半導体デバイスの最先端へ！ALE（アトミックレイヤーエッチング）他、最新技術動向
★ ４年ぶりに、野尻氏ご登壇。ドライエッチングの最先端技術のセミナーです。

セミナー趣旨

半導体デバイスの微細化・高集積化が進むにつれ、ドライエッチングに課せられる要求はますます厳しくなってきています。ロジックデバイスでは3nmノードからGAA (Gate ALL Around) 構造が採用され、また1.4nmノード以降の配線は、これまでのCuダマシンから、Ruなどの金属材料をエッチングして形成する方式に変わると予想されています。フラッシュメモリは3次元化され、既に200層以上の3D NANDが量産されています。また、10nmノード以降のデバイスでは原子レベルで表面反応を制御するアトミックレイヤーエッチング(ALE)が必要となってきています。半導体のスマートファクトリでは、装置自身が自己診断してメインテナンス時期を知ったり、プロセス条件のずれを修正するような、いわゆるインテリジェントツールが求められています。本セミナーでは、ドライエッチングの最新技術動向、ALEおよびインテリジエントツールについて分かりやすく解説します。

セミナーでは、最初に本講座を理解する上で必要とされるドライエッチングの基礎について解説します。次に最先端ドライエッチング技術として、マルチパターニング、FinFETやGAAなどのロジックFEOLエッチング、1.4nm以降のロジック配線エッチング、さらには3D NANDのHARエッチングについて具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説します。3D NANDのHARエッチングでは、最近話題になっている超低温(クライオ)エッチングについても解説します。ALEに関しては最初に原理と特徴について解説し、次にALEで実際にその特徴が実現できることを示します。さらには10nmロジックデバイスから量産適用が始まったSiO2のALEや、GAAや3D NANDのような３次元構造デバイスで必要とされる等方性ALEについて詳細に解説します。インテリジェントツールに関しては、チャンバーモニタリング、セルフメインテナンス、フィードフォワード/フィードバック制御やバーチャルメトロロジー(VM)を中心に解説します。

本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、ドライエッチングのプロを目指す方に最適な講座となっています。また、半導体装置メーカー、コンポーネントメーカー、材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの最新技術動向を理解し、また自分たちの技術が先端デバイスの中でどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。

＜得られる知識、技術＞
・マルチパターニング、GAAエッチング、1.4nmノード配線エッチング、3D NANDのHARクライオエッチングなど、ドライエッチングの最新の技術動向を学ぶことができる。
・最近ホットな話題となっているアトミックレイヤーエッチング(ALE)の原理、応用について学ぶことができる。
・スマートファクトリ対応インテリジェントツールについて学ぶことができる。

担当講師

ナノテクリサーチ 代表　野尻 一男　氏　【元・日立製作所、元・ラムリサーチ】

＜主なご経歴・研究内容・専門・ご活動＞
1975年 (株)日立製作所入社。半導体事業部にてCVD、デバイスインテグレーション、ドライエッチングの研究開発に従事。特にECRプラズマエッチング、チャージアップダメージに関して先駆的な研究を行った。また技術開発のリーダーとして数々のマネージメントを歴任。
2000年 ラムリサーチ(株) 入社、取締役・CTOに就任。
2017年 ラムリサーチ(株) エグゼクティブ・フェロー。
2019年 独立。ナノテクリサーチ代表として技術及び経営のコンサルティングを行っている。
＜主な受賞＞
1989年 「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞。
1994年 「低温ドライエッチング装置の開発」で機械振興協会賞通産大臣賞を受賞。
2019年 DPS Nishizawa Awardを受賞。
2021年 「チャージアップダメージの先駆的研究」でSSDM Awardを受賞。

セミナープログラム（予定）

＜プログラム＞

１．ドライエッチングの基礎
1.1 デバイスの微細化・高集積化のトレンドとドライエッチング技術の進展
1.2 ドライエッチングの概要
1.3 異方性エッチングのメカニズム
1.4 SiエッチングとSiO2エッチング
1.5 ドライエッチング装置

２．マルチパターニング
2.1 SADP
2.2 SAQP

３．ロジックFEOLエッチング
3.1 メタルゲート/ High-kエッチング
3.2 FinFETエッチング
3.3 GAAエッチング

４．ロジックBEOLエッチング
4.1 Low-k Cuダマシンエッチング
4.2 1.4nm以降の配線エッチング

５．3D NAND用HARエッチング
5.1 HARエッチングのキーパラメータ
5.2 クライオエッチング

６．アトミックレイヤーエッチング（ALE）
6.1 ALEの原理と特徴
6.2 EPCのイオンエネルギー依存性
6.3 EPCとスパッタ閾値を決めるファクター
6.4 表面平滑性
6.5 SiO2 ALEのSACプロセスへの応用
6.6 等方性サーマルALEとその応用

７．スマートファクトリ対応インテリジェントツール
7.1 スマートファクトリとインテリジェントツール
7.2 チャンバーモニタリング
7.3 セルフメインテナンス
7.4 フィードフォワード/フィードバック制御
7.5 バーチャルメトロロジー（VM）
7.6 インテリジェントサブシステム

８．おわりに－今後の課題と展望

□質疑応答・名刺交換□

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2023/10/27（金）13:00～16:30

開催場所

東京・品川区大井町 きゅりあん 5F 第3講習室

受講料

一般受講：本体45,000円＋税4,500円
E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円

E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須／1名あたり定価半額24,750円)

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配布資料

製本テキスト（当日会場でお渡しします。）

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

お申し込み方法

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