ドライエッチングのメカニズムと先端ロジックデバイスのエッチング技術【提携セミナー】

ドライエッチングのメカニズム

ドライエッチングのメカニズムと先端ロジックデバイスのエッチング技術【提携セミナー】

開催日時 2024/3/8(金)13:00~16:30
担当講師

伊澤 勝 氏

開催場所

Zoomによるオンライン受講

定員 30名
受講費 49,500円(税込)

★エッチング速度、形状のメカニズムとその制御手法
★FinFET、GAA、ポストスケーリング時代へ向けた最新エッチング技術

 

ドライエッチングのメカニズムと

先端ロジックデバイスのエッチング技術

 

 

【提携セミナー】

主催:株式会社技術情報協会

 


 

講座内容

半導体デバイスは微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチング技術はその微細化の一翼を担ってきた技術である。本セミナーでは、ドライエッチング技術について、表面反応モデルをベースにした形状制御の考え方と装置への展開について解説する。さらに、FinFET、GAA(Gate all around)世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工についての取組みと横方向の加工技術について解説する。

 

 

習得できる知識

  • エッチング速度のメカニズム
  • エッチング形状のメカニズムとそのハード、プロセス制御応用
  • 先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術
  • 横方向のドライエッチング技術

 

 

担当講師

(株)日立ハイテク ナノテクノロジーソリューション事業統括本部 主管技師長 伊澤 勝 氏

 

 

セミナープログラム(予定)

1.イントロダクション

1-1 半導体デバイスのトレンドとプロセス

 

2.ドライエッチング装置

2-1 プラズマ源とドライエッチング装置

 

3.ドライエッチングのメカニズム

3-1 イオンアシスト反応 エッチング速度のモデル式

3-2 エッチング選択比とガス

3-3 CDシフト(寸法変動)のメカニズム

3-4 均一性制御技術:ウエハ温度・ガス分布制御

3-5 構造起因ゲート寸法ばらつきとAPC応用

 

4.先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術

4-1 DTCO採用に伴うエッチングの課題

4-2 Si/SiGe fin etching

4-3 SAC対応エッチング技術

4-4 WFM patterning

 

5.GAA/CFET世代のエッチング技術

5-1 GAAのエッチング課題とSiGeリセス加工

5-2 CFETで求められるエッチング加工

 

6.コンフォーマルドライエッチング技術

6-1 等方性ドライエッチング技術の概要

6-2 熱サイクルALE技術と装置

6-3 プラズマを用いたコンフォーマルALE

 

7.まとめ

 

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2024/3/8(金)13:00~16:30

 

開催場所

Zoomによるオンライン受講

 

受講料

1名につき49,500円(消費税込・資料付き)

〔1社2名以上同時申込の場合1名につき44,000円(税込)〕

 

 

技術情報協会主催セミナー 受講にあたってのご案内

 

備考

資料は事前に紙で郵送いたします。

 

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。

 

お申込後はキャンセルできませんのでご注意ください。

※申し込み人数が開催人数に満たない場合など、状況により中止させていただくことがございます。

 

 

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