レジスト・リソグラフィ技術の基礎から微細化・高解像度化などの高品位化の変遷および創出過程、

効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用を学ぶ！

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と

微細化・高解像度に向けた先端技術、

EUVLからPFASフリーまで

《今後の展望および半導体産業の位置付けと未来》

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

今日の情報化社会は、マイクロエレクトロニクス(ME)の発展に支えられている。MEは、1950年代に集積回路(IC)が開発されて以来、大規模集積回路(LSI)のパターンの微細化、高集積化、すなわちメモリー大容量化の方向で、一貫して発展してきている。あわせて情報処理の高速化、低価格化も実現してきた。今後もメモリーの大容量化およびシステムLSIの高性能化の流れは止まりそうにないと予測されている。このような流れの中で、フォトリソグラフィの進歩はフォトレジストなどの材料開発が中心軸となってMEの発展に寄与してきたが、これらの材料をうまく使いこなす露光装置を中心としたハードウェア、プロセス技術の進歩も著しいものがある。

レジスト材料の開発はパターンの微細化、高解像度化が中心で、これは主として露光に用いる光の波長を短くすることで実現されてきた。ここまではさまざまな選択肢、さまざまな試行など、紆余曲折はあったものの、結果として振り返ってみれば、それまでの技術の延長線上で進んできている。1970年代から40年余りの短い時間に次のような大きな技術変革を経験している。

1)コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
2)投影露光方式の導入
3)化学増幅型レジスト／エキシマレーザ光源の採用
4)EUV光源の採用など

それぞれのステップで多くのイノベーションが実現され課題を克服してきたわけである。ここでは、これまでの技術・材料開発の事例をまとめ、今後の効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用への指針とする。

さらに、科学技術の進歩の負の側面として顕在化してきている地球規模の課題の解決に向けて半導体産業が果たす役割を考察し、日本の半導体産業の現状と課題を整理し、今後の展開の指針としたい。

◆　習得できる知識

１．レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性、マイクロエレクトロニクスの高
密度化、高速化、低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化な
どの高品位化の歴史的変遷およびイノベーションの創出過程を知ることができる。
２．技術・レジスト材料開発の実例を学ぶことにより、効率的な技術開発・不良防止・トラブ
ル対策への応用が可能となる。
３．レジスト・リソグラフィ技術の研究開発動向、現状の技術的な課題とその対処技術、今後
の展望などを知ることで今後の技術開発の方向性・指針が得られる。
４．PFASフリー対応の現状と課題及び研究開発動向。
５．事業課題の設定、事業計画の策定・推進、その他、新規事業の立ち上げや海外進出の推進
、他社との資本・業務提携・アライアンスなどに関する企画立案などの参考になる。
６．科学技術の進歩の負の側面として顕在化してきている地球規模の課題の解決に向けて半導
体産業が果たす役割を考察し、日本の半導体産業の現状と課題を整理し、今後の展開の指
針としたい。

◆　受講対象・レベル

研究開発、製造技術業務にたずさわって2~3年の若手技術者の方から中堅技術者、リーダー。

◆　キーワード

レジスト,リソグラフィ,フォト,EUV,半導体,PFAS,セミナー,講演,研修

担当講師

鴨志田技術事務所　代表　／　フォトポリマー懇話会　顧問　鴨志田 洋一　氏

（元ＪＳＲ（株）／神奈川大学）

【ご専門】
機能性高分子、高分子合成、リソグラフィ材料、知的財産権

【ご略歴】
1971年　東京大学工学部工業化学科　卒業
1973年　東京大学大学院工学系研究科合成化学専門課程　修了
1973年～2011年　ＪＳＲ（株）、フォトレジストの研究開発、マーケティング、知的財産部長、テクノポリマー常勤監査役、インターリサーチ社長、2010年～2022年　神奈川大学講師兼務、電気学会先端リソグラフィ調査専門委員(1994年～2017年)、フォトポリマー懇話会会長(2012年～2020年)、2026年現在　フォトポリマー懇話会顧問、高分子学会フェロー、日本化学会正員

セミナープログラム（予定）

１．技術パラダイムシフトと半導体集積回路
1-1　科学技術の発展
3大発明から産業革命
1-2　技術パラダイムシフトと産業発展
1-3　マイクロエレクトロニクス(ME)と社会
1-4　MEの黎明期とフォトレジスト
フォトレジスト開発の必然性とイノベーションの創出、
最先端半導体デバイス

２．フォトレジストの本流
2-1　ゴム系ネガ型フォトレジスト
(1) リソグラフィプロセスの確立
フォトレジスト開発の推移
(2) 基本的構造及び製造法の進化
2-2　ノボラック系ポジ型レジスト
(1) 基本的組成
ウェーハ大口径化へのイノベーション
(2) マトリックス樹脂、感光性化合物のデザイン
(3) レジストの透明性と解像度
(4) i-線レジスト
(5) リソグラフィプロセスでの化学と工程管理
(6) レジストの溶剤と環境への影響
(7) 高性能化への工夫と新たなイノベーション

３．フォトレジストの裏街道
3-1　X線レジスト
3-2　Top Surface Imaging
表層をイメージングレイヤーとするDESIREプロセス
3-3　Deep UVリソグラフィ
(1) 黎明期のレジスト
(2) 化学増幅型レジスト
レジストの透明性と高コントラス実現のジレンマ
(3) 光酸発生剤

４．エキシマレーザリソグラフィ　
4-1　KrFレジスト
(1) エキシマレーザリソグラフィ実現への課題
(2) 光源・光学系の課題
(3) 化学増幅型レジストの課題
(4) 材料からの改良
(5) プロセス面からの改良
(6) 実用化されたレジスト材料
4-2　ArFレジスト
(1) ArFレジスト実現への課題
(2) 課題克服へのイノベーション
材料からのアプローチ、プロセスからのアプローチ
4-3　液浸リソグラフィ
(1) 液浸リソグラフィプロセス
(2) レジスト材料への展開

５．EUVリソグラフィ
5-1　光源・露光機の開発
5-2　レジスト開発
開発現状と課題／LERの要因と対応
5-3　無機レジスト
感度・解像度／保存安定性
5-4　EUVLの課題
光源／露光装置／マスク／レジスト／評価装置

６．今後の展望
6-1　高解像度化と現像プロセス
現像過程での膨潤と解像度
6-2　今後のパターン形成プロセス
6-3　ナノインプリント技術の実用化
6-4　デバイスの進化
6-5　PFASフリーの課題
(1) PFASとは
(2) リソグラフィ材料におけるPFASの有用性
(3) 化学増幅レジストシステムにおける光酸発生材(PAG)
(4) 反射防止膜・下層膜
(5) PFASフリー対応の現状と課題

７．科学技術と社会(半導体と人間)
7-1　実装材料（ポリイミド）
半導体と人とのインターフェイス形成材料
7-2　フラットパネルディスプレイ材料
半導体と人とのインターフェイス
7-3　ブレインマシンインターフェイス(BMI)
7-4　科学技術と社会(地球規模の課題と科学技術/半導体)

８．国の安全保障の根幹を担う半導体産業
8-1　半導体産業の重要性
8-2　日本および世界の半導体産業の現状
8-3　経産省の戦略
8-4　再生のための論点

９．効率的にイノベーションを創出するために
知的財産戦略とMOT

１０．まとめ

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【LIVE配信】2026/12/10（木） 10:30～16:30

【アーカイブ配信】12/11～12/25（何度でも受講可能）

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員：  55,000円 （本体価格：50,000円）
会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）

非会員の方は1名につき55,000円（税込み）です。
会員の方もしくは新規会員登録していただいた方の受講料は以下の通りです。
★1名で申込の場合、49,500円（税込）に割引になります。
★2名以上同時申込の場合、1名につき半額の27,500円（税込）に割引になります。
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