ALE(アトミック レイヤー エッチング)技術の

基本原理と開発事例および最新動向

エッチング技術の最先端課題からALEの基礎・開発事例・最新開発動向まで

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ

半導体技術の進展に伴い、これまで以上に原子層レベルでの制御が求められるエッチング技術、
その最先端における課題と、中でも注目されているALEについて解説。
原理や代表的プロセス等の基礎から、各種材料に対するALEの開発事例、最新の開発事例・トピックスまで体系的に解説。

セミナー趣旨

半導体加工の微細化は原子層レベルに達し、3次元構造化や積層化による集積度の向上が急速に進展しています。さらに、ポストスケーリング時代に向けて、新構造トランジスタや新材料の導入が検討されており、これに伴い、さまざまな膜材料を原子層レベルの寸法精度で制御するエッチング技術の重要性がますます高まっています。

本講座では、まずロジックおよびメモリ半導体の開発動向と、それに伴うエッチング技術の最先端課題について概説します。続いて、ALE(アトミックレイヤーエッチング）の原理を、ドライエッチングおよびウェットエッチングの基礎から丁寧に解説します。さらに、代表的なALEプロセス、各種材料に対するALEの開発事例、そして最新の研究・開発動向についても紹介します。

得られる知識

• 半導体デバイス製造の開発動向と先端課題
• ドライ／ウェットエッチングの基礎と各種材料のエッチング
• ALE（アトミックレイヤーエッチング）の原理
• ALEの各種手法、および様々な材料のALE研究開発事例

受講対象

• 半導体デバイス／製造の若手技術者

担当講師

(株)日立ハイテク　プロセス東京技術センタ　主任技師　博士（工学） 篠田 和典　氏

【専門】半導体製造プロセス

セミナープログラム（予定）

1．半導体デバイスの開発動向および製造プロセス
1.1 ロジック、メモリーデバイスの開発動向
1.2 デバイス構造と製造プロセス

2．半導体製造プロセスにおけるエッチング
2.1 エッチングの概要および装置
2.2 エッチング技術開発の歴史

3．ALE(アトミックレイヤーエッチング)の基礎
3.1 ALEの概要と特徴
3.2 ALEの歴史と分類

4．熱ALE
4.1 熱ALEの原理
4.2 熱ALEの開発事例（La₂O₃、Co）

5．熱サイクルALE
5.1 熱サイクルALEの原理
5.2 熱サイクルALEの開発事例（Si₃N₄、SiO₂、TiN、W）

6．ウェットALE
6.1 ウェットエッチングの基礎
6.2 ウェットALEの原理と報告例

7．ハロゲンとArイオンによるALE
7.1 反応性イオンエッチングの基礎
7.2 ハロゲンとArイオンによるALEの原理
7.3 ハロゲンとArイオンによるALEの開発事例(Si)

8．フルオロカーボンアシストALE
8.1 フルオロカーボン系プラズマを用いたドライエッチングの基礎
8.2 フルオロカーボンアシストALEの原理
8.3 フルオロカーボンアシストALEの開発事例(Si₃N₄)

9．ALEの開発動向と最新トピックス

10．まとめと今後の課題

　□質疑応答□

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2026年1月27日（火）  13:00～16:30

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

定価：本体45,000円＋税4,500円
E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円

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2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須​／1名あたり定価半額の24,750円)

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1名申込みの場合：受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)

定価：本体36,000円＋税3,600円
E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円

※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。

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配布資料

製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
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