ウェットエッチングの基礎と高精度化およびトラブル対策【提携セミナー】
開催日時 | 未定 |
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担当講師 | 式田 光宏 氏 |
開催場所 | 未定 |
定員 | - |
受講費 | 未定 |
ウェットエッチングの基礎と高精度化およびトラブル対策
ウェットエッチング加工の結晶異方性、表面粗さや具体的な形状作製、高機能化について!
【提携セミナー】
主催:株式会社R&D支援センター
◆セミナー趣旨
MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)などの機能性デバイスを実現するには,デバイスに応じた構造体の作製が必要不可欠で,これを可能にする手段がほかならぬ「エッチング技術」である.本エッチング加工の最大の特徴は,フォトリソグラフィーで加工形状を入力し,その後,エッチング加工で入力形状を深さ方向に展開することで,バッチ処理で微細構造体を実現することである.
本セミナーでは,従来から広く用いられてきたウェットエッチング加工(特に結晶異方性エッチング)について,基礎的な内容(結晶異方性,表面粗さ)を説明するとともに,具体的な形状作製,エッチング加工の高機能化についても述べる.
◆習得できる知識
MEMS微細加工におけるウェットエッチング技術に関する基礎および実際にモノづくりをする時に役立つ知識
◆キーワード
結晶異方性,エッチング,多層マスク,高速化,高アスペクト比,高密度化,セミナー
担当講師
広島市立大学 情報科学研究科 医用情報科学専攻 教授・工学博士 式田 光宏 氏
<略歴>
1990年 株式会社日立製作所 入社
1995年 名古屋大学工学部 助手
2001年 名古屋大学難処理人工物研究センター 講師
2004年 名古屋大学エコトピア科学研究機構 助教授
2008年 名古屋大学大学院工学研究科 准教授
2014年 広島市立大学情報科学研究科 教授、現在に至る
セミナープログラム(予定)
1.MEMSにおけるウェットエッチング技術
2.結晶異方性エッチングにおける基本特性
2-1.エッチング速度の結晶方位依存性
2-2.エッチング液濃度および温度依存性
2-3.結晶異方性エッチングモデル
2-4.表面粗さの結晶方位依存性
2-5.エッチング液種の違い(KOHとTMAHの違い)
3.結晶異方性エッチングにおける注意事項
3-1.エッチピット発生メカニズムとその対策
3-2.マイクロピラミッド発生メカニズムとその対策
3-3.液中不純物の影響
4.エッチング加工の高機能化
4-1.アンダーカット現象のメカニズムとその対策
4-2.多層マスクによるエッチング形状の多面体化
4-3.エッチング加工の高速化
4-4.結晶異方性エッチングによるスキャロッピングの選択的除去
4-5.機械加工との併用による加工形状の高アスペクト比化
4-6.モールド技術との併用によるマイクロ構造体の高密度化
公開セミナーの次回開催予定
開催日
未定
開催場所
未定
受講料
未定
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