超精密研磨/CMPプロセス技術の理解から将来型技術に挑戦

《機能性材料基板や難加工材料の超精密加工プロセス技術、CMP技術の全貌》

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

◆　セミナー趣旨

近年では、多機能・高性能化を目指した新しいデバイスが次々と提案され、とくに縦型に積層する三次元半導体デバイスのみならず、
LCRパッシブ、センサー、フォトニクス、パワー、電池など、全てのデバイスを1チップ化されていく三次元実装/チップレット化されていていく状況にあります。こういう状況の中で、半導体Si以外の新たな材料が使用されるようになってきました。特に、パワー/高周波デバイス用あるいはLED用としてサファイア、SiC、GaN,　Diamondなどの難加工基板が脚光を浴びています。それに加えて、データセンター､基地局用にもLT,　LN、GaAsなどの結晶基板の適用も要請されている。これらの多種多様な材料基板を高能率・高品質に超精密加工するためには、熟成・定着してきたベアSiウェーハをはじめ、デバイスウェーハ平坦化CMP技術などを例にして、加工技術の基礎を徹底理解しておくことが必要不可欠です。

本セミナーでは、長年培ってきたガラスを含めた機能性材料基板の超精密加工プロセス技術について徹底的に掘り下げた情報を盛り込みながら、あらゆる材料の超精密加工実現の門外不出のノウハウも含めながら、難加工材料のCMP技術や超精密加工プロセス技術などを詳細に解説します。さらに、究極デバイス用ダイヤモンド基板を含めた高効率加工プロセスなどについても言及し、新しい研究開発のビジネスチャンスをつかんでいただく橋渡しをさせていただきます。

◆　得られる知識

• オプトメカトロニクス・半導体分野の超精密加工プロセス技術の基礎からデバイスへの応用技術、
  そしてウエハのボンディング（接合）の基礎と事例までの全容を理解してビジネスチャンスを得る。
• 超精密加工技術の現状を理解して、将来加工技術の展望を把握することによって、次の一手を考える。

◆　対象

• 研磨・CMP技術を学びたい方、或いは 現在研究開発中の方
• これから研磨・CMPとその周辺技術でビジネスチャンスを捕えようとする方
• 加工技術・プロセス技術分野で新しいビジネスを試みたい方
• 半導体加工分野で新しい領域のシーズを探索されている方
• 半導体領域で横のつながり、産学連携を望む方

◆　キーワード

：超精密加工プロセス、CMP、化合物半導体、超難加工材料、SiC,　GaN,、Diamond, プラズマ融合加工、チップレット、三次元積層デバイス、接合（ボンディング）技術

担当講師

九州大学 名誉教授　／　埼玉大学 名誉教授　工学博士　土肥 俊郎　氏

(株)Doi Laboratory　代表取締役

セミナープログラム（予定）

—超精密加工プロセス技術と平坦化CMP技術の入門・基礎編―

【1】～研磨/CMPの発展経緯と加工メカニズム基礎、各種基板の加工事例から基本技術を徹底理解～
（1）超精密研磨（研削/ラッピング/ポリシング/CMP等）技術の位置づけ/必要性と適用例
（2）基本的加工促進のメカニズム概要の理解
（3）各種機能性材料の超精密ポリシング ～コロイダルシリカ・ポリシング/CMPを含めて～
（4）硬軟質二層構造パッド　～高精度高品位化パッドの考案・試作～
（5）ダイラタンシー現象応用スラリーとパッドの考案・試作
（ここで登場する被加工用基板; Si, サファイア、GaAs, LT, 水晶、GGG,　HD・光ファイバ用ガラス、SiC、有機結晶など）

【2】～CMP加工メカニズム・要素技術とその課題を徹底理解～
（1）デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
（2）平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例　～パッド・スラリーそして装置～
（3）パッドのドレッシング　～非破壊ドレッシング/HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案～
（4）CMP用スラリーの設計とそのため必須のダイナミック電気化学（d－EC）装置の紹介
（5）Siウェーハのナノトポグラフィ問題、他
（ここで登場する被加工用基板;　Si,　SiO2,　Cu,　W,　Co,　Ta, TaN, TiN,　など）

—化合物半導体の超精密加工プロセス技術の課題と将来加工技術―

【3】～革新的高能率・高品質加工プロセス技術　SiC・GaN/Diamond基板を対象として～
（1）超難加工材料の加工技術の現状把握とその課題
（2）将来型加工技術に向けて
①　加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
②　パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
（3）革新的加工技術へのブレークスルー(2つの考え方)
①　加工条件改良型ブレークスルー
ダイラタンシーパッドと高速高圧加工装置の考案とその加工プロセス・加工特性事例
②　挑戦型加工によるブレークスルー
（4）将来型プラズマ融合CMP法の考案とその加工特性事例
（ここで登場する加工用基板;　 サファイア、Si, 　SiO2、SiC,　GaN, ダイヤモンド、など）

—総括編：今後の加工技術を捉える/半導体Siと化合物半導体の将来展望―

【4】～次世代シリコン（Si）半導体の高度平坦化CMP構築のために～
（1）ベアシリコンウエハの超精密加工プロセスとCMP
（2）デバイスウエハのプラナリゼーション（平坦化）CMP
（3）後工程におけるプラナリゼーションCMP
（4）三次元実装/チップレット化に関わるCMPとボンディング技術
（ここでの重要キーワード；超精密CMP融合技術、超薄片化プロセス技術、大口径超精密ボンディング技術）

【5】～深化するAIと“シンギュラリティ（技術的特異点）”を見据えて～
次世代3次元異種混載デバイスを想定・化合物半導体基板の加工プロセスの課題
（1）超難加工材/ SiC, GaN, Diamondの加工プロセスはどうあるべきか
（2）More Basic CMPとMore than CMP、そしてBeyond CMP技術を目指す

質疑応答

公開セミナーの次回開催予定

開催日

【ライブ配信】 2024年10月3日（木） 10:30～16:30
【アーカイブ配信】 2024年10月18日（金） まで受付（視聴期間：10/18～10/31）

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

【一般受講】本体50,000円＋税5,000円
E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円

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2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須​／１名あたり定価半額の27,500円)

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1名申込みの場合：受講料 41,800円(E-Mail案内登録価格 39,820円 )

定価：本体38,000円＋税3,800円
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配布資料

• 製本資料（開催日の4、5日前に発送予定)）
  ※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、
  　開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。

オンライン配信のご案内

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備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

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