<半導体製造において必須:プラズマプロセッシング>プラズマプロセスにおける基礎と半導体微細加工へのプラズマによるエッチングプロセス
2024/5/21(火) 10:30~16:30
お問い合わせ
03-6206-4966
開催日時 | 2023/11/24(金)10:30-16:30 |
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担当講師 | 伊澤 勝 氏 |
開催場所 | Zoomによるオンラインセミナー |
定員 | - |
受講費 | 【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:47,300円 【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】:52,800円 |
【提携セミナー】
主催:株式会社情報機構
半導体デバイスは微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチング技術はその微細化の一翼を担ってきた技術である。本セミナーでは、ドライエッチング技術の進展の歴史、表面反応モデルをベースにした形状制御の考え方と装置への実装について解説する。さらに、FinFET、GAA(Gate all around)世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工についての取組みとALE(Atomic Layer etching)技術の応用について解説する。
◆受講後、習得できること
・プラズマエッチングの形状制御メカニズム
・ロジック向け半導体エッチングプロセスの最新動向
・縦方向および横方向のALE(Atomic Layer etching)技術
◆受講対象者
半導体加工プロセスに関心のある、デバイスメーカ、装置メーカ、半導体材料メーカの方など。
◆必要な予備知識など
半導体製造プロセスに関する一般的な知識
(株)日立ハイテク ナノテクノロジーソリューション事業統括本部
主管技師長 工学博士 伊澤 勝 先生
1. イントロダクション
1-1. 半導体デバイスのトレンド
1-2. 半導体プロセスフローとドライエッチング技術
2. ドライエッチング装置の概要
2-1. プラズマ源とドライエッチング装置
2-2. ドライエッチング装置の変遷
3. ドライエッチングの反応メカニズム
3-1. イオンアシスト反応 エッチング速度のモデル式
3-2. 反応生成物の影響
3-3. 加工寸法制御のメカニズム
3-4. 各種材料における寸法制御技術
3-5. Fab wide APCへの展開
a) 構造起因のゲート寸法ばらつき
b) 制御モデル構築と計測
c) 構造を考慮した寸法変動のモデル化
4. LER、Wiggling抑制技術
4-1. マスク再構成技術
4-2. 応力制御によるWiggling抑制
4-3. 絶縁膜HARC etching
5. 最先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術
5-1. DTCO採用に伴うエッチングの課題
5-2. 異方性ALE(Atomic Layer etching技術)
5-3. Si/SiGe fin etching
5-4. WFM patterning
6. 横方向のドライエッチング
6-1. ポストスケーリング世代の半導体技術動向
6-2. 等方性ドライエッチング技術の概要
6-3. 熱サイクルALE技術と装置
6-4. プラズマを用いたALE
6-5. 有機錯体反応を用いたALE
7. 環境およびデジタル化に向けた取り組み(概略)
8. まとめ
2023年11月24日(金) 10:30-16:30
Zoomによるオンラインセミナー
【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)】:1名47,300円(税込、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)】:1名52,800円(税込、資料付)
*1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円
*学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。
※配布資料・講師への質問等について
●配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
(開催1週前~前日までには送付致します)。
*準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
(土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)
●当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
(全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり
無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。
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