半導体製造プロセスにおける

イオン注入とアニール技術

《基礎から課題およびその対策まで》

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

MOSトランジスタを用いたLSIの作製で重要な役割を果たす不純物のイオン注入と、その不純物を活性化させるためのアニール技術について、MOS ICの微細化との関連を中心として解説してゆく。イオン注入技術ではその原理と装置の構造、および、MIS ICの微細化に対応するイオン注入技術の課題とその対策を示す。アニール技術では、MOS ICの微細化に対応するアニールの手法、イオン注入によって導入されるSi結晶欠陥のアニールによる回復の過程を解説する。MOS IC以外のデバイス作製のためのイオン注入技術についても簡単に紹介する。

◆習得できる知識

• MOS IC作成のためのイオン注入技術の詳細と課題
• 微細化MOSトランジスタのイオン注入技術に対する要求
• イオン注入により破壊された結晶を回復させるアニールの手法
• アニールによる結晶回復の過程に関する知識

◆受講対象

半導体関連の材料・デバイス・装置メーカーなどの主に若手~中堅の研究者・開発者・技術者・製造担当者

◆キーワード

半導体,デバイス,MOS,LSI,イオン,注入,アニール,不純物,セミナー,講座,研修

担当講師

サクセスインターナショナル（株）　技術顧問　工学博士　鈴木 俊治　氏

【専門】
半導体デバイス（MOSトランジスタ）
MOS IC作製プロセス技術
イオン注入技術
アニール技術

【略歴】
1968年　ソニー中央研究所
1989年　ソニー厚木Tec　超LSI研究所
2000年　ソニーホームエレクトロニクスカンパニー
2003年　住友イートンノバ【現住友重機械イオンテクノロジー（株）】
2009年　琉球大学　工学部　電気電子工学科　博士研究員
2010年　千葉大学　工学部　ナノサイエンス学科　(非常勤講師)
2011年　半導体産業人協会　教育委員会委員
2013年　サクセスインターナショナル（株）　技術顧問

【その他の活動など】
「半導体集積回路シンポジューム」プログラム委員
雑誌「電気化学」(電気化学会発行)　編集委員

セミナープログラム（予定）

1.イオン注入技術の歴史

2.CMOS ICの微細化
～MOSトランジスタの微細化とその構造変化に対応するイオン注入技術～

3.イオン注入技術
・イオン注入の原理と装置構造
・CMOS ICでのイオン注入の適用
・イオン注入に伴う問題と対策
-イオンビーム精度
-チャネリング
-チャージアップ
-ビームBrow up
-金属汚染
-注入損傷
・その他のイオン注入技術
-CMOSイメージセンサー
-パワーデバイス、など

4.アニール技術
・アニール手法（電気炉アニール、光アニール）
・注入不純物の活性化過程
・結晶の回復と2次欠陥の生成、展開
・光アニール技術の課題

5.イオン注入に関連する解析技術
・不純物濃度分布
・キャリアの濃度分布
・結晶性解析
・汚染解析

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

未定

開催場所

未定

受講料

未定

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