★現行のSi、SiCに次ぐ世代のデバイス材料として注目されている「GaN」に焦点を当てて開催

★基本物性、半導体材料としての期待、国内外の開発動向や結晶評価、

作製プロセスまで基本から最新動向まで網羅したオススメのセミナーです。

GaNパワーデバイス開発技術における

基礎知識と最新動向

≪GaNの特徴/国内外の開発状況/ウェハ・結晶評価/作製プロセスにおける課題など≫

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジスタは既に実用化され、生活になくてはならないものとして利用されています。また、大きなバンドギャップと絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有しており、この分野では現行のSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされています。本講演では特にパワーデバイスの分野においてGaNを用いたデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説します

◆受講後、習得できること

• パワーデバイスができるまで　結晶～デバイス～モジュール
• パワーデバイスの現状
• GaNにおける日本の立ち位置
• パワーデバイスの今後の展望

◆講演中のキーワード

• GaN
• パワーデバイス
• ワイドバンドギャップ半導体
• 結晶成長

担当講師

国立大学法人　東海国立大学機構　名古屋大学
未来材料・システム研究所　特任准教授 田中敦之 氏

■経歴
大学卒業後、企業及び国立研究所でSiCパワーデバイスの実用化に関する研究開発に従事。その後フィールドを大学、GaNのパワーデバイスに移し研究・教育を行っている。

■専門および得意な分野・研究
SiC、GaNの結晶欠陥評価、加工、パワーデバイス設計、プロセス開発

■本テーマ関連学協会での活動
応用物理学会

セミナープログラム（予定）

１．はじめに
（１） パワーエレクトロニクスとは
（２） パワーデバイスについて
（３） パワー半導体とは
（４） パワーデバイス・モジュールができるまでの工程

２．GaNについて
（１）GaNの物性　なぜGaNなのか
（２）GaNの用途
（３）パワー半導体としてのGaN
（４）GaNパワーデバイスの狙い

３．GaN関係の動向、世界的な状況と日本の立ち位置
（１）パワー半導体の動向
（２）GaNのプレーヤー（ウェハ）
（３）GaNのプレーヤー（デバイス）

４．GaN結晶について
（１）様々なGaNの結晶成長方法とその特徴
（２）基板とデバイス層
（３）GaNonGaNとヘテロエピGaN
（４）GaN基板のラインナップ
（５）GaN基板ができるまでの加工工程
（６）ウェハ・結晶評価

５．GaNパワーデバイス作製プロセスについて
（１）GaN結晶と半導体プロセス
（２）GaNデバイス作製プロセスの様々な課題

６．GaNパワーデバイス
（１）デバイス設計について
（２）基本的なGaNパワーデバイスの特性
（３）様々なGaNパワーデバイス
（４） パワーデバイス評価

７．デバイス作製後のプロセス

８．まとめ

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2025年2月7日（金）　13:00-17:00

開催場所

Zoomによるオンラインセミナー

受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名41,800円(税込、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名47,300円(税込、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

●録音・録画行為は固くお断り致します。

オンライン配信のご案内

★　Zoomによるオンライン配信

については、こちらをご参照ください

備考

※配布資料等について

●配布資料はPDF等のデータで配布致します。ダウンロード方法等はメールでご案内致します。

• 配布資料に関するご案内は、開催1週前～前日を目安にご連絡致します。
• 準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• セミナー資料の再配布は対応できかねます。必ず期限内にダウンロードください。

●当日、可能な範囲でご質問にお答えします。（全ての質問にお答えできない可能性もございます。何卒ご了承ください。）
●本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売などは禁止致します。

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