★2nmスケールの半導体製造に向け注目のＥＵＶリソグラフィ用メタルレジストの最新動向を把握！

ＥＵＶレジスト・メタルレジストの

基礎（物性・反応性等）および評価技術

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

セミナー趣旨

※セミナープログラム参照

担当講師

(国)物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター 主幹研究員 博士（理学） 　山下 良之 氏

リソテックジャパン（株） ナノサイエンス研究所　所長 博士（工学） 　関口 淳 氏

セミナープログラム（予定）

12：30～14：30　物質・材料研究機構 　山下　良之　氏

「EUVメタルレジストの構造・特徴および反応機構・大気安定性」

○セミナーポイント

近年2 nmスケールの半導体が非常に注目を集めている。その中の核技術の 1つとしてレジストがあげられる。本講演では1)メタルレジストがなぜ重要か、2)各社が開発したメタルレジスト、3)EUV光利用におけるメタルレジストの必要性、4)メタルレジストのEUV露光による反応機構を中心に講演を行っていく。必要に応じて、2 nmスケール半導体における核技術、世界動向、2 nm以下のスケール半導体の核技術についても講演を行う。

○受講対象：

半導体微細化におけるレジストの技術に興味のある方、半導体微細化の最先端動向に興味のある方、半導体微細化の最新動向及び半導体微細化におけるレジストの最新動向を学習したい方

○受講後、習得できること：

メタルレジストの構造、EUV露光における反応の基礎知識、半導体微細化の最新動向

○内容項目：

1．EUVリソグラフィに求められるレジスト技術
1) レジストの歴史
(a) ムアーの法則
(b) スケーリング則
(c) ムアーの法則後のデバイス構造
(d) 平面構造FET構造以降のデバイス構造
(e) 半導体の製造を行う会社数推移
2) レジストとリソグラフィ
(a) レジスト露光光源の推移
(b) 開口数
(c) リソグラフィのスケーリング則
(d) パターニング
(e) LELE (Litho-etch Litho-etch)
(f) SADP (Self Aligned Double Patterning)
(g) 次世代リソグラフィ技術
3) EUVとメタルレジスト
(a) デバイスの微少化に必要なこと
(b) EUVリソグラフィ
(c) EUV光源
(d) EUV光源の周辺技術
(e) EUV露光のミラ-
(f) 何故Mo/Si多層膜がEUV露光のミラ-に適しているのか
(g) ASML社製のEUV露光装置
(h) EUVレジスト側で必要なこと
(i) EUV光吸収率の元素依存性
(j) EUV露光用新規レジストの必要性
(k) 高感度EUVレジスト材料に求められるもの
(l) メタルレジスト
(m) 化学増幅型有機レジストとメタルレジスト
(n) メタルレジストのEUV露光に対する優位性

2．各種メタルレジストの物性・構造および作製法
1）メタルレジストの構造および基礎物性
(a) 元素の光学濃度値
(b) 材料設計を考慮する際に重要なEUV光による吸収率の元素依存性
(c) EUV光によって吸収される元素の軌道
(d) 無機レジスト材料
2) メタルレジストの作製法
3) 各社が開発したメタルレジスト
(a) Inspriaのメタルレジスト作製の歴史
(b) Inspriaのメタルレジストの種類・特徴
(c) コーネル大学のメタルレジスト作製の歴史
(d) コーネル大学のメタルレジストの種類・特徴
(e) EIDECのメタルレジスト作製の歴史
(f) EIDECのメタルレジストの種類・特徴
(g) SUNY Polytechnic Instituteの歴史及び種類・特徴

3．メタルレジストのEUV露光による反応機構の解析、および大気安定性
：小生の研究を元に
1) メタルレジストのEUV露光による反応機構
(a) XRDによるEUV露光による構造変化解明
(b) 光電子分光によるEUV露光による反応元素解明
(c) X線吸収分光法によるEUV露光による反応化学結合解明
2) メタルレジストの大気安定性
(a) 光電子分光によるメタルレジストの大気暴露下での化学状態
(b) X線吸収分光法によるによるメタルレジストの大気暴露下での反応結合種解明
(c) 光電子分光によるEUV露光したメタルレジストの大気暴露下での化学状態
(d) X線吸収分光法によるによるメタルレジストの大気暴露下での反応結合種解明

＜質疑応答＞

14：45～16：45　リソテックジャパン(株)　 関口　淳　氏

「EUVレジスト、メタルレジストの評価技術」

○セミナーポイント：

EUVリソグラフィーが実用化されてデバイス製造へも適用が進んでいますが、さらなる高解像性の要求からハイパーNA（NA0.55）のEUVスキャナーの導入が検討されています。ハイパーNAでは、DOFの観点、および解像性から、従来のCARレジストに代わってメタルレジストが使われると言われています。
本講座では、EUVレジストの概要および特にEUVメタルレジストの評価方法について紹介します。

○受講対象：

EUV関連の研究者、技術者。これからEUV材料の研究を始めたい研究者・技術者を対象としています。

○受講後、習得できること：

EUVレジストの概要とその評価方法に関する基礎知識

○内容項目：

1．EUVLの概要
1.1　EUVLの概要
1.2　EUVメタルレジスト

2．EUVレジストの評価技術
2.1　EUV透過率測定
2.2　ナノパーティクル添加レジストの高感度化
2.3　金属付与PAGによる高感度化の検討
2.4　屈折率nk測定
2.5　EUV2光束干渉露光

3．EUVメタルレジストの評価技術
3.1　メタルレジストの概要
3.2　EUVメタルレジストのアウトガス分析
3.3　EUVメタルレジストの問題点

4．EUVフォトレジストと電子線レジストの感度

＜質疑応答＞

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2025年3月21日（金）　12:30-16:45

開催場所

Zoomによるオンラインセミナー

受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名42,900円(税込、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき31,900円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名48,400円(税込、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき37,400円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

●録音・録画行為は固くお断り致します。

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★　Zoomによるオンライン配信

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