酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開【提携セミナー】
おすすめのセミナー情報
もっと見る開催日時 | 2023/8/7(月)13:00~17:00 |
---|---|
担当講師 | 東脇 正高 氏 |
開催場所 | 【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。 |
定員 | 30名 |
受講費 | 非会員: 49,500円 (本体価格:45,000円) 会員: 38,500円 (本体価格:35,000円) |
酸化ガリウムパワーデバイスの
最新技術・研究開発動向と今後の展開
【提携セミナー】
主催:株式会社R&D支援センター
◆セミナー趣旨
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。
◆習得できる知識
- Ga2O3物性の基礎知識
- バルク融液成長、エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)などの各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報
◆受講対象
電機メーカー、自動車メーカー、半導体材料・装置メーカーなどの研究開発・企画戦略・生産製造などに携わる方。
◆キーワード
酸化ガリウム,Ga2O3,パワー,デバイス,エレクトロニクス,半導体,講座,研修,セミナー
担当講師
大阪公立大学 大学院工学研究科 電子物理工学分野 教授 博士(工学) 東脇 正高 氏
≪専門≫
半導体デバイス、薄膜結晶成長
≪略歴≫
1998年3月 大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程修了、博士(工学)
1998年4月 日本学術振興会 博士特別研究員
2000年4月 郵政省通信総合研究所 研究員[2004年4月(独)情報通信研究機構に改組]
2004年10月 情報通信研究機構 主任研究員
2007年9月 Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Project Scientist(情報通信研究機構より転籍出向)
2010年4月 情報通信研究機構 主任研究員(転籍出向より復帰)
2012年10月 情報通信研究機構 未来ICT研究所 総括主任研究員
2013年12月 情報通信研究機構 未来ICT研究所 統括 兼 グリーンICTデバイス先端開発センター長
2016年4月 情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター長
2021年4月 情報通信研究機構 未来ICT研究所 小金井フロンティア研究センター グリーンICTデバイス研究室長 (2022年4月からは兼務)
2022年4月 大阪公立大学 大学院工学研究科 電子物理工学分野 教授 (本務)
≪受賞歴≫
2005年 第27回応用物理学会論文賞(JJAP論文奨励賞)
2006年 第28回応用物理学会論文賞
2007年 The Young Scientist Award of the 2007 International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
2009年 丸文研究奨励賞
2013年 第27回フジサンケイビジネスアイ 先端技術大賞 特別賞
2015年 第11回日本学術振興会賞
2018年 Nakamura Lecturer Award, Materials Department, University of California, Santa Barbara (UCSB)
2021年 Clarivate Highly Cited Researcher 2021(クラリベイト 2021年 高被引用論文著者)
2022年 第54回市村学術賞 貢献賞
2023年 IEEE Fellow
セミナープログラム(予定)
1.はじめに
1.1 Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)
1.2 将来的なGa2O3デバイスの用途
2.Ga2O3バルク融液成長技術
3.Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
3.1 MBE成長
3.2 HVPE成長
3.3 MOCVD成長
4.Ga2O3トランジスタ開発
4.1 横型MESFET
4.2 横型DモードMOSFET
4.3 横型フィールドプレートMOSFET
4.4 縦型DモードMOSFET
4.5 縦型EモードMOSFET
4.6 国内外のGa2O3 FET開発動向
5.Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
5.1 HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
5.2 縦型フィールドプレートSBD
5.3 縦型ガードリングSBD
5.4 国内外のGa2O3 SBD開発動向
6.まとめ、今後の課題
【質疑応答】
公開セミナーの次回開催予定
開催日
2023年08月07日(月) 13:00~17:00
開催場所
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。
受講料
非会員: 49,500円 (本体価格:45,000円)
会員: 38,500円 (本体価格:35,000円)
会員の方あるいは新規会員登録していただくと、下記の割引が適用されます。
- 1名申込の場合、49,500円(税込)→38,500円(税込)
- 2名同時申込の場合、合計99,000円(税込)→合計49,500円(税込)
※両名の会員登録が必要です。
※セミナー主催者の会員登録をご希望の方は、申込みフォームのメッセージ本文欄に「R&D支援センター会員登録希望」と記載してください。ご登録いただくと、今回のお申込みから会員受講料が適用されます。
※R&D支援センターの会員登録とは?
ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
備考
- 本セミナーは「Zoom」を使ったWEB配信セミナーとなります。
- セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
お申し込み方法
★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。