酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開【提携セミナー】

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開催日時	【LIVE配信】2026/3/2（月） 13:00～17:00 , 【アーカイブ配信】3/4～3/11 （何度でも受講可能）
担当講師	東脇正高氏
開催場所	【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。
定員	30名　※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
受講費	非会員： 49,500円（本体価格：45,000円）会員： 38,500円（本体価格：35,000円）

酸化ガリウムパワーデバイスの

最新技術・研究開発動向と今後の展開

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。

本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

◆習得できる知識

Ga2O3物性の基礎知識
バルク融液成長、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）などの各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報

◆受講対象

電機メーカー、自動車メーカー、半導体材料・装置メーカーなどの研究開発・企画戦略・生産製造などに携わる方

◆キーワード

酸化ガリウム,パワー,半導体,エレクトロニクス,次世代,基板,薄膜,講座,研修,セミナー

担当講師

大阪公立大学　大学院工学研究科　電子物理工学分野　教授　博士（工学）　東脇正高　氏

【専門】
半導体デバイス、薄膜結晶成長

【略歴】
1998年3月　大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程修了、博士（工学）
1998年4月　日本学術振興会博士特別研究員
2000年4月　郵政省通信総合研究所研究員［2004年4月（独）情報通信研究機構に改組］
2004年10月　情報通信研究機構主任研究員
2007年9月　Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara,　Project Scientist（情報通信研究機構より転籍出向）
2010年4月　情報通信研究機構主任研究員（転籍出向より復帰）
2012年10月　情報通信研究機構未来ICT研究所　総括主任研究員
2013年12月　情報通信研究機構未来ICT研究所統括兼グリーンICTデバイス先端開発センター長
2016年4月　情報通信研究機構未来ICT研究所グリーンICTデバイス先端開発センター長
2021年4月　情報通信研究機構未来ICT研究所小金井フロンティア研究センターグリーンICTデバイス研究室長（2022年4月からは兼務）
2022年4月　大阪公立大学大学院工学研究科電子物理工学分野　教授（本務）