半導体ウェットエッチングの基礎および

プロセス技術と先端課題

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

半導体製造は、成膜、リソグラフィー、エッチングの繰り返しによって半導体ウェハ上に素子を作り込むものであり、エッチングは必要不可欠である。エッチングには、プラズマを用いたドライエッチングと、薬液を用いたウェットエッチングがある。このうちドライエッチングは、パターン寸法の正確な転写に優れており、パターン形成の主流となっている。一方、ウェットエッチングは、低損傷性や高選択性に優れており、低損傷加工が重要となる化合物半導体デバイスの製造工程やウェハ洗浄工程など、様々な場面で用いられている。

本講座では、化合物半導体やシリコン系材料を中心とした各種材料のウェットエッチングについて、基本的なエッチング液の組成やエッチング形状、各種材料のエッチング方法を説明する。また、半導体デバイスのトレンドとエッチングの先端課題を紹介し、ウェット代替え技術についても紹介する。

◆　得られる知識

• 半導体デバイスおよび製造プロセスの概要
• ウェットエッチングの基礎知識
• 各種材料のウェットエッチング技術
• エッチングの先端課題とウェット代替え技術

◆　対象

半導体デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーの研究開発・生産製造に携わる方。（初心者から中級者まで）

担当講師

（株）日立製作所　研究開発グループ　計測イノベーションセンタ
ナノプロセス研究部　主任研究員　博士（工学）

篠田 和典　氏

セミナープログラム（予定）

1. 半導体デバイスの構造と製造プロセス
1-1 デバイスの構造
1-2 デバイス製造プロセス
1-3 製造プロセスにおける洗浄

2. デバイス製造プロセスにおけるエッチング
2-1 エッチングとは
2-2 ドライエッチングとウェットエッチング
2-3 ドライエッチングとウェットエッチングの比較

3. ウェットエッチングの基礎
3-1 エッチング液
3-2 選択性
3-3 律速過程
3-4 エッチング形状

4. 各種材料のウェットエッチング
4-1 Si, InP, GaAs, GaN
4-2 SiO2, Si3N4

5. 半導体デバイスのトレンドと先端課題
5-1 デバイスのトレンド
5-2 エッチングの先端課題
5-3 ウェット代替え技術

6. ウェットエッチングの開発事例

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2023年08月31日（木） 13:00～17:00

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）
会員：  38,500円 （本体価格：35,000円）

会員の方あるいは新規会員登録していただくと、下記の割引が適用されます。

• 1名申込の場合、49,500円（税込）→38,500円（税込）
• 2名同時申込の場合、合計99,000円（税込）→合計49,500円（税込）
  ※両名の会員登録が必要です。

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備考

• 本セミナーは「Zoom」を使ったWEB配信セミナーとなります。

• セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

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