★ドライ、ウェット、原子層の各エッチング技術の原理から
　各種材料への応用、微細化、三次元化への対応まで最新事例を交えながら解説

半導体エッチング技術の基礎と最新動向、応用事例

【提携セミナー】

主催：株式会社技術情報協会

講座内容

モノのインターネット（IoT）の普及により、データを処理するロジックデバイスやメモリーデバイスには、更なる性能向上と高集積化が求められている。このためデバイス構造の微細化と三次元化が益々進んでおり、エッチング技術にも、多様な膜種の原子レベル加工など、更なる進化が求められている。本講座では、ドライエッチング、ウェットエッチング、および原子層エッチングについて、エッチングの原理から、各種材料への応用、技術動向、そして最先端の開発事例までを、メーカで各種半導体製造のエッチングプロセス開発に携わってきた講師が、実経験を交えて分かり易く解説する。

習得できる知識

• 半導体製造プロセスの技術トレンド
• ドライ、ウェット、および原子層エッチングの基礎知識
• 各種材料のエッチング技術

担当講師

(株)日立製作所　研究開発グループ　計測イノベーションセンタ　ナノプロセス研究部　主任研究員　博士(工学)　篠田 和典 氏

セミナープログラム（予定）

１．半導体デバイスのトレンド／構造／製造プロセス

1.1 半導体デバイスの技術トレンド

1.2 半導体デバイスの構造と製造プロセス

２．半導体製造プロセスにおけるエッチング

2.1 エッチング工程の種類

2.2 エッチング工程の課題

３．ドライエッチングの基礎及びプロセス技術

3.1 ドライエッチング装置、プロセスの歴史

3.2 ドライエッチングの原理

3.3 ドライエッチングの速度、選択性および損傷

3.4 各種材料のドライエッチング技術

４．ウェットエッチングの基礎及びプロセス技術

4.1 ウェットエッチングの原理

4.2 ウェットエッチングの律速過程

4.3 ウェットエッチングの選択比および面方位依存性

4.4 各種材料のウェットエッチング技術

５．原子層エッチングの基礎と最新技術

5.1 原子層エッチングの基礎と分類

5.2 有機金属錯体反応を用いた熱ALE

5.3 プラズマと熱サイクルを用いた等方性ALE

5.4 ハロゲン化とイオン照射を用いた異方性ALE

5.5 フルオロカーボンアシスト法を用いた異方性ALE

６．まとめ

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2023/8/9（水）10:30~16:30

開催場所

Zoomによるオンライン受講

受講料

1名につき55,000円(消費税込･資料付き)

〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49,500円(税込)〕

技術情報協会主催セミナー　受講にあたってのご案内

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備考

資料は事前に紙で郵送いたします。

お申し込み方法

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