200mm装置から300mm装置の大型化・高精度化に対応するCMP技術開発の動向【提携セミナー】

　　セミナー　　技術分野共通　　200mm装置から300mm装置の大型化・高精度化に対応するCMP技術開発の動向【提携セミナー】

開催日時	【ライブ配信】 2026/8/28（金）13:00～16:30 , 【アーカイブ配信】 2026/9/18（金）まで受付（視聴期間：9/18～10/6）
担当講師	奥山林明氏
開催場所	【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。
定員	-
受講費	通常申込：本体45,000円＋税4,500円

200mm装置から300mm装置の

大型化・高精度化に対応するCMP技術開発の動向

≪装置の基礎、研磨メカニズム、パッド・スラリー管理、トラブル対策、CMP後洗浄設計≫

【提携セミナー】

主催：サイエンス＆テクノロジー株式会社

受講可能な形式：【ライブ配信】or【アーカイブ配信】のみ

研磨メカニズムの基礎、パッド・スラリー・終点検知などコア技術の管理手法、
実例に基づくトラブル対策の「型」、そしてCMP後洗浄の設計と実務を一気通貫で解説

CMPが品質を決めるハイブリッド接合（ボンディング）の最新動向も解説

CMPの技術、装置の最前線

セミナー趣旨

CMP（化学機械研磨）は、微細化と多層配線化を支える平坦化技術として量産に定着し、近年はハイブリッド接合をはじめとする先端パッケージの接合品質を左右する基盤技術として、その重要性を一段と増しています。一方でCMP装置は、消耗品・回転体・薬液供給が絡む複雑な装置であり、「装置は正常なのにレートがおかしい」といった、カタログや仕様書には載らないトラブルが現場では頻発します。

本セミナーでは、DRAM製造現場で20年（うちCMP15年）にわたり装置を運用してきた講師が、200mm→300mm時代の装置大型化・高精度化の要点、研磨メカニズムの基礎、パッド・スラリー・終点検知などコア技術の管理手法、実例に基づくトラブル対策の「型」、そしてCMP後洗浄の設計と実務までを一気通貫で解説します。あわせて、CMPが品質を決めるハイブリッド接合（ボンディング）の最新動向にも触れ、装置技術の知見が今後どこで活きるのかを示します。過剰な表現を避け、データと実機事例に基づいた「現場で使える」知見の共有を目指します。

得られる知識

200mm/300mm時代のCMP装置構成の違いと技術進化を説明できる
研磨メカニズムの基礎（Prestonの式）と面内均一性の考え方が理解できる
パッド・スラリー・終点検知（EPD）の管理手法と実務トラブル対策を習得できる
CMP後洗浄の設計思想と、パーティクル・Cu腐食防止の実務対策を習得できる
「装置は正常なのにレートが変」など、カタログに載らないトラブル切り分けの考え方が身につく

受講対象

主に

半導体デバイス・装置・材料（スラリー/パッド/薬液/部材）メーカーでCMP関連業務に携わる新人～中堅技術者の方
CMP装置の運用・保全・プロセス開発をご担当の方
ハイブリッド接合など先端パッケージとCMPの関わりを知りたい方
大学・研究機関で平坦化・接合技術を研究されている方

キーワード

：CMP／化学機械研磨／平坦化／研磨パッド／スラリー／ドレッサ／終点検知（EPD）／研磨ヘッド／後洗浄／パーティクル／スクラッチ／ディッシング／Cu配線／300mm装置／トラブルシューティング／ハイブリッドボンディング

担当講師

ETSC Consulting　代表　奥山林明　氏

セミナープログラム（予定）

1．CMP装置の基礎と200mm→300mm装置進化
1-1．CMPとは ― 平坦化の目的と研磨機構
（1）平坦化の目的と「止め方」（下地停止・膜中停止）
（2）研磨機構の構成要素（パッド・スラリー・ヘッド・プラテン）
1-2．200mm時代のCMP
（1）CMPの量産プロセスへの定着
（2）200mm装置の構成例（2HEAD/1TABLE型・4HEAD/3TABLE型）
（3）研磨部とインライン後洗浄の一体化（CMPセル構成）
1-3．装置の世代ロードマップ（200mm→300mm→次世代）
1-4．200mm→300mm 装置進化の鍵
（1）研磨機構・プラテン数・ヘッド構造の比較
（2）ヘッド圧力制御の高度化（メンブレンの多ゾーン化と大口径均一性）
（3）搬送・生産性（単テーブルからマルチプラテン＋カルーセルへ）
1-5．300mm量産装置の構成
（1）研磨部の構造
（2）後処理部（洗浄部）の構造
（3）リアルタイムプロファイル制御（測りながらゾーン圧を補正）
（4）多ステップCMPとスループット
1-6．大口径化がもたらした技術課題（研磨均一性・スラリー供給・装置精度）
1-7．第1章まとめ：進化の要点

2．研磨メカニズムとパッド・スラリー管理
2-1．CMPの第一原理
（1）Prestonの式（レート＝K×圧力×相対速度）
（2）面内不均一の発生要因と考え方
2-2．研磨パッド
（1）種類と溝形状（硬質/軟質・スラリー保持・平坦性）
（2）状態管理（コンディショニングと表面状態）
（3）ドレッサ（目立て）の管理と寿命
（4）パッド寿命の見極め【実務】（レート全面低下からの消去法）
2-3．スラリー
（1）膜種別の設計・選定ロジック（BPSG・STI・Cu・W）
（2）砥粒の種類と使い分け（シリカ・セリア）
（3）沈殿対策・供給管理【実務】
2-4．研磨ヘッド
（1）構造（メンブレン・リテーナリング）
（2）面内圧力分布の作り方（保持⇔研磨の動作概念）
2-5．終点検知（EPD）
（1）検出原理と膜種別の使い分け（光学式・渦電流式・トルク）
（2）波形の読み方と誤検知防止【実務】

3．CMPトラブル対策（事例中心）
3-1．トラブル対応の進め方（現象→切り分け→根本原因→対策→効果→水平展開）
3-2．装置起因トラブル事例
（1）研磨ユニット系（回転体・駆動部：トルク・電流・振動トレンドでの予兆管理）
（2）搬送系（摩耗の定量化と寿命管理）
（3）洗浄・乾燥系（欠陥源は研磨部だけではない）
（4）薬液供給系（供給設備まで含めた品質管理）
3-3．レート監視と規格管理（「OOCが出ていない＝正常」ではない）
3-4．スクラッチ ― 形と分布から真因を絞る
3-5．改善事例：Cuボイド低減（EPD波形から過研磨を特定）
3-6．トラブル対応成果の標準化と水平展開

4．CMP後洗浄設計
4-1．後洗浄の設計思想（汚染除去機構と装置構成）
4-2．洗浄方式の比較（除去対象・原理での使い分け）
4-3．主要方式の機構（PVAブラシ・メガソニック・乾燥）
4-4．洗浄薬液のchemistry（pHとゼータ電位で「落とす・付けない」を作る）
4-5．パーティクル問題（後洗浄不足起因の発生と対策）
4-6．異物除去とCu腐食防止の両立（酸・アルカリ条件のバランス）
4-7．乾燥とウォーターマーク（「水を残さない」設計）

5．最新動向 ― ハイブリッド接合とCMP
5-1．なぜ「接合」が必要になったのか（平面微細化の限界→積層へ）
5-2．CMPが決める接合品質（ディッシング・表面粗さの要求水準）
5-3．接合方式の種類（W2W／D2W、フュージョン／ハイブリッド）
5-4．関連装置（エッジトリム・アライメント・バックグラインド・接合装置）
5-5．接合の検証とピッチ微細化ロードマップ

6．まとめ・質疑応答