<半導体製造において必須:プラズマプロセッシング>プラズマプロセスにおける基礎と半導体微細加工へのプラズマによるエッチングプロセス
2024/5/21(火) 10:30~16:30
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03-6206-4966
開催日時 | 【LIVE配信】2023/12/4(月)12:30~16:30 , 【アーカイブ配信】12/5~12/19(何度でも受講可能) |
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担当講師 | 市川 幸美 氏 |
開催場所 | 【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。 |
定員 | - |
受講費 | 非会員: 49,500円 (本体価格:45,000円) 会員: 46,200円 (本体価格:42,000円) |
☆薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられる
プラズマの生成機構や特徴について解説します!
☆プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、
処理条件の最適化法など解説します!
【提携セミナー】
主催:株式会社R&D支援センター
◆セミナー趣旨
プラズマは現在では産業の広い分野で日常的に使われています。しかし、プラズマの原理やプラズマを用いることの利点については、あまり系統的に学ぶ機会がないと思います。現在の応用だけでなく、今後道具としてさらにプラズマを利用していくためには、その物理的な考え方、特徴を理解することが不可欠になります。そこで、本セミナーでは、まず前半で薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマ(非平衡プラズマと呼ばれる)の生成機構や特徴について解説します。後半ではそれらを踏まえて、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法などについて説明します。
◆習得できる知識
半導体プロセスに用いられるプラズマの特徴と基礎、プラズマCVDの原理とSi系薄膜の膜質制御の考え方、ドライエッチングの原理と種々のエッチング手法などが習得できる。
◆受講対象
半導体プロセスや薄膜形成などに用いるプラズマについて、その基本的な機構、およびエッチングや成膜技術についての原理を理解したい方。
◆必要な前提知識
特にプラズマについての予備知識は必要ありません。基礎から解説します。
◆キーワード
半導体,プラズマ,プラズマエッチング,ドライエッチング,半導体プロセス,講演,セミナー
東京電機大学 大学院工学研究科 非常勤講師 市川 幸美 氏
【学位】
工学博士
【専門】
プラズマプロセス、シリコン系太陽電池
【略歴】
1980年 武蔵工業大学大学院博士課程修了(工学博士)(プラズマ工学専攻)
1980年 カナダYork Univ.とMcMaster Univ.でポスドク
1982年 アメリカWright State Univ. Brehm Res. Lab.研究員
1983年 富士電機入社。 総合研究所にてアモルファスSi太陽電池の研究開発
2000年 半導体事業部にてパワー半導体デバイスのプロセス開発
2007年 富士電機アドバンストテクノロジー(株)取締役、兼)電子デバイス技術センター長としてワイドギャップ半導体デバイス(SiC,GaN)、太陽電池等の研究開発を統括
2013年 文科省)革新的エネルギー研究開発拠点形成事業(Future-PV Innovation)にて研究統括補佐としてナノワイヤー太陽電池の研究開発
2017年~2022年 東京都市大学総合研究所客員教授
1.プラズマの基礎
1-1. プラズマ中の衝突現象とその定量的な取り扱い
1-2. 衝突反応の種類と反応速度定数の考え方
1-3. Boltzmann方程式
1-4. Boltzmann方程式から得られるプラズマの基礎方程式(拡散方程式、連続の式など)
1-5. プラズマの生成(直流放電プラズマ)
1-6. プラズマの生成(容量性結合RF放電プラズマ)
1-7. プラズマの生成(誘導性結合RF放電プラズマ)
1-8. プラズマの生成(大気圧低温プラズマ)
2.プラズマCVD
2-1. プラズマCVDの特徴と原理(アモルファスSi薄膜を中心に)
2-2. 代表的なプラズマCVD装置
2-3. 製膜パラメータの考え方
2-4. アモルファスSi堆積条件と高品質化
3.プラズマエッチング
3-1. プラズマエッチングの特徴と原理(等方性、異方性)
3-2. 代表的なエッチング装置
3-3. エッチングダメージ
3-4. 終点検出の原理
【LIVE配信】2023/12/4(月)12:30~16:30
【アーカイブ配信】12/5~12/19
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。
非会員: 49,500円 (本体価格:45,000円)
会員: 46,200円 (本体価格:42,000円)
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