佐賀大・嘉数先生と大阪公立大・東脇先生が次世代半導体材料の最新動向を解説！

半日速習セミナーです。

次世代パワー半導体

ダイヤモンドと酸化ガリウムの最新動向

【提携セミナー】

主催：株式会社情報機構

セミナープログラム参照

担当講師

佐賀大学　大学院 理工学研究科　教授 博士（工学）　嘉数 誠 氏

大阪公立大学 大学院工学研究科
電子物理系専攻 電子物理工学分野　教授 博士（工学）　東脇 正高 氏

セミナープログラム（予定）

●第一部　13:00～14:50
『ダイヤモンド半導体：ダイヤウェハ結晶成長とパワー半導体デバイスの進展』
佐賀大学　嘉数 誠　氏

■はじめに
近年、地球温暖化が社会問題になり、省エネルギー、大電力化が可能なダイヤモンド半導体に注目が集まっている。ダイヤモンド半導体は、最もワイドギャップで、究極の半導体ともよばれている。
本セミナーでは、ダイヤモンド半導体、パワー半導体の基礎からはじめ、前回（昨年）から更に大口径化（現在2インチ）、高品質化が進んだダイヤモンド半導体ウェハの結晶成長技術と出力電力が向上し世界最高水準に達したダイヤモンド半導体デバイスの成果に加え、ダイヤモンドパワー回路の最近の成果について解説を行う。

■想定される主な受講対象者
電機メーカー、素材メーカー、化学メーカー、半導体製造装置メーカーの方、半導体商社の方、国研、大学などの研究者の方、半導体やパワーエレクトロニクスに興味のある方

■必要な予備知識
本テーマにご興味のある方ならどなたでも歓迎します。
参加者のバックグランドに応じて、文系の方にもわかりやすく、解説いたします。

■セミナー（第一部）に参加して修得できること
・ダイヤモンドがパワー半導体として期待される理由
・なぜ大口径／高品質ダイヤモンド半導体ウェハが実現したか
・なぜ最高水準の出力電力を示したダイヤモンド半導体デバイス
・ダイヤモンド半導体・パワー回路の特性

■セミナー内容

１．ダイヤモンド半導体の基礎知識
1）ダイヤモンドの構造的性質
2）ダイヤモンドの電子物性

２．ダイヤモンドの結晶成長の基礎知識
1）様々な結晶成長方法
2）CVD成長法
3）ヘテロエピタキシャル成長法

３．パワー半導体デバイスの基礎知識
1）パワー回路とパワー半導体デバイス
2）高周波パワー半導体デバイス
3）ダイヤモンドがパワー半導体に優れている理由

４．2インチ径ダイヤモンド半導体ウェハの結晶成長
1) 背景－従来の技術
2）ヘテロエピタキシャル結晶成長方法
3）ウェハ作製方法
4) X線回折結果
5) 電子顕微鏡観察結果
6) 結晶欠陥評価
7) 結晶成長機構
8) まとめ

５．最高水準の出力電力を示すダイヤモンドパワー半導体デバイス
1) 背景－従来の技術
2）作製方法
3）デバイス特性
a) DC特性
b) 高電圧特性
c) 考察
4) まとめ

６．ダイヤモンド半導体・パワー回路
1) 背景
2）作製方法
3）パワー回路特性
a) スイッチング特性
b) ストレス特性（寿命試験）
c) 考察
4) まとめ

７．まとめ
1) まとめ
2）今後の課題

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●第二部　15:00～17:00
『酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向』
大阪公立大学　東脇 正高　氏

■はじめに
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイスおよび極限環境デバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。本講演では、Ga2O3の基礎物性を紹介した後、現在までのバルク融液成長、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

■想定される主な受講対象者
本テーマにご関心のある電機、自動車メーカーなどの方

■必要な予備知識
特にございません。

■本セミナーに参加して修得できること
・Ga2O3の物性およびその応用領域
・Ga2O3結晶成長に関する研究開発のこれまでの経緯、現在の動向
・Ga2O3デバイス研究開発のこれまでの経緯、現在の動向

■セミナー内容

1. はじめに
1）Ga2O3の材料的特徴（SiC, GaNとの比較から）
2）将来的なGa2O3デバイスの用途

2. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術の研究開発状況
1）MBE成長
2）HVPE成長
3）MOCVD成長

3. Ga2O3トランジスタの研究開発状況
1）横型FET（高周波、極限環境デバイス）
2）縦型FET（パワーデバイス）

4. Ga2O3ダイオードの研究開発状況
1）縦型フィールドプレートショットキーバリアダイオード
2）縦型ガードリングショットキーバリアダイオード
3）縦型p-nダイオード

5. まとめ、今後の課題

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2024年9月24日（火）　13:00-17:00

開催場所

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受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名41,800円(税込、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円
【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名47,300円(税込、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

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