★エッチング技術の基礎・メカニズムから先端エッチング技術まで幅広く解説！

★エッチングにおける課題、課題解決へのアプローチを理解できる！

ドライエッチングのメカニズムと最先端技術

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

台湾TSMCの熊本工場、北海道のラピダスの設立など半導体製造メーカの日本進出が進んできていますが、2ナノメートルといった超微細な構造を加工するには、エッチング技術が欠かせません。刃物や研磨では得られない超微細加工を実現するためには原子・分子・イオンを活用したエッチング技術が必要であり、デバイス寸法の縮小に伴い、日進月歩の技術革新が行われています。本セミナーではエッチング技術の基礎・メカニズムの説明からスタートし、現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造しているメーカが使用している先端エッチング技術までを紹介します。エッチング技術にも多くの課題があり、そのブレークスルー技術についてもご紹介いたします。

◆習得できる知識

• 半導体製造におけるプラズマエッチングについて位置づけと原理が理解できる。
• 異方性エッチングと等方性エッチングそれぞれの意義とメカニズム、装置構成を理解できる。
• エッチングにおける課題、課題解決へのアプローチを理解できる。
• 最新デバイスにおけるエッチング技術を理解できる。

◆受講対象

• 半導体デバイス開発、半導体製造装置開発に携わって5年以内程度の技術者の方
• 半導体デバイス・半導体製造装置の営業職の方
• 半導体製造装置の製造技術、量産技術の技術者の方

◆必要な前提知識

特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。

◆キーワード

半導体,ドライエッチング,微細加工,セミナー,講演

担当講師

（株）日立ハイテク
プロセス企画部　部長
大竹　浩人氏

【ご略歴・ご経歴】
博士（工学）東北大学
IEEE Senior member
米国滞在総計 6年間
・プラズマエッチング基礎研究・配線インテグレーション研究
・准教授（プラズマプロセスin-situモニタリング研究）
・表面波プラズマを使ったエッチング技術の開発、ロジックデバイス大手へのエッチングプロセス提供、量産課題解決
・新規等方性エッチング装置の開発、メモリ・ロジックデバイス大手への等方性エッチングプロセス提供

セミナープログラム（予定）

1.エッチングの基礎
1-1 微細加工
1-2 プラズマの生成とエッチング

2.異方性エッチング
2-1 異方性エッチングのメカニズム
2-2 異方性エッチング向け製造装置

3.等方性エッチング
3-1 等方性エッチングのニーズ
3-2 等方性エッチングへのアプローチ
3-3 等方性エッチングの例

4.エッチングの高機能化- パルスプラズマ
4-1 ソースパルス
4-2 バイアスパルス
4-3 シンクロナイズドパルス

5.エッチングの課題
5-1 形状異常
5-2 プラズマ誘起ダメージ
5-3 量産における課題

6.最新エッチング技術
6-1 ロジックデバイス向けエッチング技術
6-2 メモリデバイス向けエッチング技術

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2024年05月29日（水） 13:00～16:00

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員： 49,500円 （本体価格：45,000円）
会員： 46,200円 （本体価格：42,000円）

会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から

• 1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
• 2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。

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備考

• セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
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