★SiCパワー半導体の社会実装の状況やSiCウェハ製造技術の開発動向、

課題、産業動向まで分かりやすく解説！

SiCウェハ製造技術（結晶成長・加工・評価）の

基礎知識と技術開発動向

《大口径・高品質・低コストを実現するウェハ製造技術へ》

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

次世代の省エネルギー電力制御機器としてEVや鉄道など社会実装が進むSiCパワー半導体。SiCウェハも8インチが量産品となり、中国を筆頭に１２インチの試作も進んでいる。一方、化学的・機械的に極めて安定なSiCは、ウェハ製造もシリコンより難しい側面もある。本セミナーではSiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する基礎から応用、最新の開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術の議論と共に、当該分野の国際競争力強化について検討する。

◆習得できる知識

• 半導体用SiCウェハ製造技術（結晶成長、加工、評価）の基礎知識。
• 近年のSiCウェハ製造技術の開発動向や技術課題、SiCウェハ産業の今後の動向に関する情報。

◆受講対象

• SiCパワー半導体やSiC材料開発に興味のある方、結晶工学・ウェハ加工技術・材料評価技術に関心のある方

◆必要な前提知識

• 特に予備知識は必要ありません。

◆キーワード

SiC,パワー半導体,ウェハ加工,結晶工学,結晶成長,製造技術,セミナー,講演

担当講師

（国研）産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
研究チーム長 博士（工学） 加藤 智久 氏

【ご専門】
ワイドギャップ半導体バルク単結晶成長、ウェハ加工技術、X線結晶学、鉱物学

セミナープログラム（予定）

１．SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
1-1　SiCの基礎と物性
(1)身近なSiC
(2)ワイドギャップ半導体と特徴
(3)SiCウェハ
(4)他半導体材料とSiCの違い
1-2　SiCパワー半導体への応用
(1)SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
(2)SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
1-3　SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
(1)パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
(2)国内・外でのSiCウェハ開発動向
(3)SiCウェハ開発に対する今後の期待

２．SiC単結晶製造技術
2-1　SiC単結晶の合成・成長方法
(1)SiCの合成
(2)SiC単結晶の量産技術
(3)各種SiC単結晶成長技術の特徴
(4)シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待
2-2　結晶多形と特徴
(1)SiCの結晶多形（ポリタイプ）と物性
(2)多形制御技術
2-3　結晶欠陥と制御
(1)SiC単結晶の結晶欠陥と影響
(2)SiC単結晶の欠陥評価技術
(3)SiC単結晶の欠陥抑制技術
2-4　大口径結晶の成長
(1)SiC単結晶の口径拡大成長技術
(2)大口径化がもたらす効果と技術課題
2-5　n/p型の伝導度制御
(1)SiC単結晶の伝導度制御
(2)SiC単結晶の低抵抗化技術

３．SiCウェハ加工技術
3-1　SiCのウェハ加工
(1)SiCウェハ加工工程と技術課題
3-2　ウェハ切断工程
(1)SiC単結晶の切断技術
(2)切断工程の高速化技術
(3)切断工程の課題と新しい切断技術
3-3　ウェハ研削工程
(1)SiCウェハの研削加工
(2)研削加工の高速・鏡面化技術
(3)研削工程の課題と新しい研削加工技術
3-4　ウェハ研磨工程
(1)SiCウェハの研磨加工
(2)研磨加工と研削加工の特徴や違い
(3)研磨工程の課題と新しい研削加工技術
3-5　CMP工程
(1)SiCウェハのCMP加工
(2)CMPの高速化技術
(3)CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
3-6　加工変質層と評価
(1)加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
(2)加工変質層の評価技術
(3)加工変質層の抑制技術
3-7大口径化対応
(1)SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
(2)大口径化対応へ向けた解決策の検討

【質疑応答】

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2026/8/5（水） 10:30～16:30

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員：  55,000円 （本体価格：50,000円）
会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）

会員の方あるいは申込時に会員登録される方は、受講料が1名55,000円（税込）から

• 1名49,500円（税込）に割引になります。
• 2名申込の場合は計55,000円（2人目無料）になります。両名の会員登録が必要です。

※セミナー主催者の会員登録をご希望の方は、申込みフォームのメッセージ本文欄に「R&D支援センター会員登録希望」と記載してください。ご登録いただくと、今回のお申込みから会員受講料が適用されます。

※R&D支援センターの会員登録とは？
ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。

LIVE配信のご案内

こちらをご参照ください

備考

———-【当日のテキスト資料について】———-

• 資料付（紙媒体での配布）※データの配布はありません。
• ご自宅への送付を希望の方はご住所などをメッセージ欄に明記してください。
  ⇒お届け先のご指定がない場合は、お申し込み時の住所宛に送付いたします。

———-【注意事項】———-

• セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

お申し込み方法

★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。