半導体デバイス入門講座 (R&D)【提携セミナー】
開催日時 | 未定 |
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担当講師 | 高木 信一 氏 |
開催場所 | 未定 |
定員 | 未定 |
受講費 | 未定 |
近年、大きな注目を集めている微細CMOS技術の基礎となる
MOSトランジスタの基本動作原理と今後の動向を分かりやすく解説!
半導体デバイス入門講座
【提携セミナー】
主催:株式会社R&D支援センター
◆セミナー趣旨
半導体産業は、IT機器を支える基幹産業としてAI/DX社会実現の主導的役割を果たすと考えられるようになり、経済安全保障の観点からも高い注目が集まっている。この半導体集積回路の基本となるデバイスが、MOSトランジスタであることから、その進化の道筋を追うことで、現在および将来の集積回路の方向性を理解することができる。本セミナーでは、半導体の基本的性質から始めて、MOSトランジスタの構造と動作原理、微細化の基本的考え方、作製プロセスの基礎、性能向上のための工夫、将来の技術発展の方向性について、最新の研究開発状況にも触れながら、解説する。
◆習得できる知識
- 半導体物性の基礎
- MOSトランジスタの構造と動作原理
- MOSトランジスタの微細化手法
- MOSトランジスタの作製方法の基礎
- 近年の微細トランジスタ高性能化技術の概要
- 今後のMOSトランジスタの発展の方向性
など
◆受講対象
- 業務に活かすため、半導体デバイスやMOSトランジスタ、集積回路についての知見を得たいと考えている方
- 半導体集積化技術の将来像にご興味のある方
◆キーワード
半導体,動向,MOSFET,成膜,オンライン,WEBセミナー
担当講師
東京大学 大学院 工学系研究科 電気系工学専攻 教授 工学博士 高木 信一 氏
【専門】
半導体デバイス工学
〇主な経歴:
1987年 東京大学工学系研究科博士課程卒業、工学博士。
東芝・総合研究所入所。
1993-1995年 Stanford大学訪問研究員、
2003年 東京大学工学系研究科電気系工学専攻・教授。
〇業界での関連活動:
システムデバイスロードマップ産学連携委員会・委員
〇ホームページアドレス:
https://sites.google.com/g.ecc.u-tokyo.ac.jp/mosfet/
セミナープログラム(予定)
1.半導体産業の重要性
1-1 半導体の応用分野と将来性
1-2 半導体製品の種類
2.半導体の基礎
2-1 半導体の特徴
2-2 半導体中の電気伝導と移動度
2-3 n型半導体とp型半導体
2-4 pn接合と空乏層
3.MOSトランジスタの動作原理
3-1 MOSトランジスタの動作原理
3-2 MOS構造のバンド図
3-3 反転状態と閾値電圧
3-4 MOSトランジスタの電流-電圧特性
4.MOSトランジスタを用いた論理計算
5.MOSトランジスタの微細化とムーアの法則
5-1 集積回路のコンセプトとムーアの法則
5-3 MOSトランジスタのスケーリング則
6.MOSトランジスタの作製方法
7.MOSトランジスタ微細化の制限要因と改良技術
7-1 ゲート絶縁膜の薄膜化限界とhigh k絶縁膜
7-2 短チャネル効果と立体構造トランジスタ
7-3 チャネル移動度向上技術
8.MOSトランジスタ高集積化の現状と今後の動向
8-1 テクノロジーノードとロードマップ
8-2 三次元集積化
公開セミナーの次回開催予定
開催日
未定
開催場所
未定
受講料
未定
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