半導体デバイスに宇宙放射線環境が与える影響《メカニズムの解説、耐放射線性評価、耐性強化技術》【提携セミナー】
| 開催日時 | 【Live配信】2026/8/7（金）13:00~16:00 , 【アーカイブ】2026/8/19まで受付（視聴期間：8/19~8/28まで） |
|---|---|
| 担当講師 | 小野田 忍 氏 |
| 開催場所 | Zoomを利用したLive配信 または アーカイブ配信 |
| 定員 | 30名 |
| 受講費 | 49,500円（消費税込・資料付き） |
★放射線と物質の相互作用と評価試験、耐性強化の考え方について解説
半導体デバイスに宇宙放射線環境が与える影響
《メカニズムの解説、耐放射線性評価、耐性強化技術》
【提携セミナー】
主催：株式会社技術情報協会
講座内容
本講演では、CPUやメモリなどの集積回路、パワーデバイス、太陽電池が宇宙放射線環境で使用される際に直面する、代表的な3つの放射線影響について紹介する。あわせて、それぞれの現象について、放射線と物質の相互作用に基づく発生メカニズムを解説する。さらに、耐放射線性評価試験の手法、および耐性強化に向けた基本的な考え方についても学ぶ。
習得できる知識
- 宇宙で発生する3つの放射線影響の基礎
- 照射試験装置の仕様
- 宇宙用半導体デバイスの耐放射線性評価技術
担当講師
(国研)量子科学技術研究開発機構 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター 量子材料機能化グループ グループリーダー 博士（工学） 小野田 忍 氏
セミナープログラム（予定）
１．はじめに
1.1 宇宙放射線環境
1.2 半導体に対する3つの放射線影響と評価指標
1.3 放射線と物質（半導体材料）の相互作用の基礎
２．放射線照射に係る施設
2.1 ガンマ線
2.2 電子線加速器
2.3 イオン加速器
３．トータルドーズ効果
3.1 試験方法
3.3 MOSデバイスにおけるトータルドーズ効果
3.4 耐性強化のアプローチ
４．はじき出し損傷効果
4.1 試験方法
4.3 太陽電池におけるはじき出し損傷効果
4.4 寿命予測及び耐性強化のアプローチ
５．シングルイベント効果
5.1 試験方法
5.2 パワーデバイスにおけるシングルイベント効果
5.3 様々なシングルイベント効果
5.4 耐性強化のアプローチ
６．まとめ
【質疑応答】
公開セミナーの次回開催予定
開催日
【Live配信】2026/8/7（金）13:00~16:00
【アーカイブ】2026/8/19まで受付（視聴期間：8/19~8/28まで）
開催場所
Zoomを利用したLive配信 または アーカイブ配信
受講料
1名につき49,500円(消費税込･資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき44,000円(税込)〕
備考
資料は事前に紙で郵送いたします。
お申し込み方法
★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。
★【LIVE配信】、【アーカイブ配信】のどちらかご希望される受講形態をメッセージ欄に明記してください。
※お申込後はキャンセルできませんのでご注意ください。
※申し込み人数が開催人数に満たない場合など、状況により中止させていただくことがございます。
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