等方性エッチング技術のニーズと基礎メカニズムの説明から、

現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造している

メーカが検討している先端エッチング技術まで解説！

等方性ドライエッチングメカニズムと最先端技術

【提携セミナー】

主催：株式会社R&D支援センター

◆セミナー趣旨

台湾TSMCの熊本工場、北海道のラピダスの設立など半導体製造メーカの新聞報道などが続いています。半導体デバイスの加工にはエッチング技術が欠かせませんが、昨今のデバイスの3次元化に伴い、従来の異方性加工（垂直方向）のニーズだけでなく、等方性加工（横方向）に注目が集まっています。

本セミナーでは等方性エッチング技術のニーズと基礎メカニズムの説明からスタートし、現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造しているメーカが検討している先端エッチング技術までを紹介します。等方性エッチング技術にも多くの課題があり、そのブレークスルー技術についてもご紹介いたします。

◆習得できる知識

• 半導体製造における等方性エッチングの位置づけと原理が理解できる。
• 等方性エッチングにおける課題、課題解決へのアプローチを理解できる。
• 最新デバイスにおける等方性エッチング技術を理解できる。

◆受講対象

• 半導体デバイス開発、半導体製造装置開発に携わって5年以内程度の技術者の方
• 半導体デバイス・半導体製造装置の営業職の方
• 半導体製造装置の製造技術、量産技術の技術者の方

◆必要な前提知識

特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。

◆キーワード

半導体,ドライエッチング,等方性エッチング,セミナー,講演

担当講師

（株）日立ハイテク
プロセス企画部　部長
大竹　浩人氏

【ご略歴・ご経歴】
博士（工学）東北大学
IEEE Senior member
米国滞在総計 6年間
・プラズマエッチング基礎研究・配線インテグレーション研究
・准教授（プラズマプロセスin-situモニタリング研究）
・表面波プラズマを使ったエッチング技術の開発、ロジックデバイス大手へのエッチングプロセス提供、量産課題解決
・新規等方性エッチング装置の開発、メモリ・ロジックデバイス大手への等方性エッチングプロセス提供

セミナープログラム（予定）

1.ドライエッチングの基礎
1-1 ドライエッチングとは？
1-2 異方性エッチングと等方性エッチング

2.等方性エッチングのニーズとメカニズム
2-1 等方性エッチングのニーズ
2-2 等方性エッチングのメカニズム

3.等方性エッチングの例
3-1 ウエットエッチング
3-2 ガスエッチング
3-3 原子層エッチング(Atomic Layer Etching: ALE)
3-4 等方性エッチング装置

4.等方性エッチングの課題

5.最新等方性エッチング技術
5-1 ロジックデバイス向け等方性エッチング技術
5-2 メモリデバイス向け等方性エッチング技術

公開セミナーの次回開催予定

開催日

2024年10月09日（水）13:00～16:00

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。

受講料

非会員： 49,500円 （本体価格：45,000円）
会員： 46,200円 （本体価格：42,000円）

会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から

• 1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
• 2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。

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備考

• セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
  無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

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