半導体デバイス・プロセス開発の実際 ~前工程を中心に~(前編)半導体デバイス・プロセス開発の実際 ~後工程および産業動向を中心に~(後編)
【LIVE配信】(前編)2024/9/25(水) 10:30~16:30(後編) 2024/9/26(木) 10:30~16:30 , 【アーカイブ配信】9/27~10/11(何度でも受講可能)
お問い合わせ
03-6206-4966
開催日時 | 2024/10/9(水)13:00~16:00 |
---|---|
担当講師 | 大竹 浩人 氏 |
開催場所 | 【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。 |
定員 | 30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。 |
受講費 | 非会員: 49,500円 (本体価格:45,000円) 会員: 46,200円 (本体価格:42,000円) |
等方性エッチング技術のニーズと基礎メカニズムの説明から、
現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造している
メーカが検討している先端エッチング技術まで解説!
【提携セミナー】
主催:株式会社R&D支援センター
◆セミナー趣旨
台湾TSMCの熊本工場、北海道のラピダスの設立など半導体製造メーカの新聞報道などが続いています。半導体デバイスの加工にはエッチング技術が欠かせませんが、昨今のデバイスの3次元化に伴い、従来の異方性加工(垂直方向)のニーズだけでなく、等方性加工(横方向)に注目が集まっています。
本セミナーでは等方性エッチング技術のニーズと基礎メカニズムの説明からスタートし、現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造しているメーカが検討している先端エッチング技術までを紹介します。等方性エッチング技術にも多くの課題があり、そのブレークスルー技術についてもご紹介いたします。
◆習得できる知識
◆受講対象
◆必要な前提知識
特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。
◆キーワード
半導体,ドライエッチング,等方性エッチング,セミナー,講演
(株)日立ハイテク
プロセス企画部 部長
大竹 浩人氏
【ご略歴・ご経歴】
博士(工学)東北大学
IEEE Senior member
米国滞在総計 6年間
・プラズマエッチング基礎研究・配線インテグレーション研究
・准教授(プラズマプロセスin-situモニタリング研究)
・表面波プラズマを使ったエッチング技術の開発、ロジックデバイス大手へのエッチングプロセス提供、量産課題解決
・新規等方性エッチング装置の開発、メモリ・ロジックデバイス大手への等方性エッチングプロセス提供
1.ドライエッチングの基礎
1-1 ドライエッチングとは?
1-2 異方性エッチングと等方性エッチング
2.等方性エッチングのニーズとメカニズム
2-1 等方性エッチングのニーズ
2-2 等方性エッチングのメカニズム
3.等方性エッチングの例
3-1 ウエットエッチング
3-2 ガスエッチング
3-3 原子層エッチング(Atomic Layer Etching: ALE)
3-4 等方性エッチング装置
4.等方性エッチングの課題
5.最新等方性エッチング技術
5-1 ロジックデバイス向け等方性エッチング技術
5-2 メモリデバイス向け等方性エッチング技術
2024年10月09日(水)13:00~16:00
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。
非会員: 49,500円 (本体価格:45,000円)
会員: 46,200円 (本体価格:42,000円)
会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円(税込)から
※セミナー主催者の会員登録をご希望の方は、申込みフォームのメッセージ本文欄に「R&D支援センター会員登録希望」と記載してください。ご登録いただくと、今回のお申込みから会員受講料が適用されます。
※R&D支援センターの会員登録とは?
ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
★下のセミナー参加申込ボタンより、必要事項をご記入の上お申し込みください。